类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：4.3A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 65mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

LN7302DT1WG 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在低电压应用中具有优异的导通性能。该器件的典型导通电阻 Rds(on) 最大仅为 65mΩ，当栅极电压为 10V 时，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 4.3A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载应用。
　　在热性能方面，LN7302DT1WG 采用 SOT-223 封装，具备良好的散热能力，能够在高电流条件下维持稳定运行。其最大功率耗散为 1.5W，工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工业和消费类电子环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在不同控制电路中都能稳定工作。由于其低栅极电荷和快速开关特性，LN7302DT1WG 在高频开关应用中表现出色，有助于减小电源系统的体积和提升效率。

LN7302DT1WG 适用于多种电源管理及功率控制应用。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，实现高效的电压转换。其低导通电阻和快速开关特性特别适合用于同步整流电路，以提高转换效率。
　　在负载开关应用中，LN7302DT1WG 可用于控制电源路径，实现对负载的快速开关控制，适用于电池供电设备中的电源管理模块。此外，该器件也可用于马达驱动电路中，作为 H 桥结构中的开关元件，提供高电流驱动能力。
　　在电源管理系统中，LN7302DT1WG 可用于多路输出电源的同步整流、热插拔控制、负载切换等场景。由于其封装小巧、热性能良好，因此也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备等便携式电子产品中。

Si2302DS, AO3400, IRLL2703, FDS6675