时间：2025/8/9 13:53:07
阅读：35
2SK3887-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子设备，如DC-DC转换器、电源管理和高频放大器等。其封装形式为SOP（小型封装），便于在紧凑型电路板上安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：500mA
最大漏极-源极电压：20V
导通电阻：1.5Ω
栅极-源极电压范围：±12V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP
功率耗散：200mW
增益带宽：100MHz
2SK3887-01具有多项显著的性能特点。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）为1.5Ω，这使得在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件的最大漏极电流为500mA，最大漏极-源极电压为20V，能够满足中等功率应用的需求。此外，该MOSFET的栅极-源极电压范围为±12V，使其在多种驱动条件下都能保持稳定工作。
2SK3887-01采用SOP封装，具有较小的封装体积，便于在高密度PCB设计中使用，同时其热稳定性优异，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。该器件的功率耗散为200mW，保证了在高频工作下的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET的增益带宽为100MHz，使其在高频开关应用中表现出色，适合用于DC-DC转换器、负载开关和高频放大器等电路中。
综上所述，2SK3887-01凭借其低导通电阻、高开关速度、宽工作温度范围和优异的热性能，成为许多高频、高效率应用的理想选择。
2SK3887-01广泛应用于多种电子设备中，特别是在需要高频和高效率的电路设计中表现突出。它常用于DC-DC转换器，作为主开关元件以提高转换效率并减少能量损耗。此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制电源的通断，适用于便携式电子产品和嵌入式系统中的电源管理模块。
在射频（RF）和高频放大器电路中，2SK3887-01凭借其100MHz的增益带宽，能够实现稳定的高频信号放大，适用于无线通信设备、传感器接口和无线数据传输模块。此外，由于其SOP封装体积小，也适用于空间受限的高密度PCB设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品。
工业控制设备和汽车电子系统也是该器件的重要应用领域。其-55°C至150°C的宽工作温度范围和优异的热稳定性，使其能够在严苛的环境条件下保持稳定工作，适用于车载电源系统、电机驱动器和工业自动化设备。
2SK3886-01, 2SK3888-01
