MA0201CG8R0B500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,专为高频开关应用而设计。该芯片结合了高性能的驱动电路和优化的 GaN 场效应晶体管,能够显著提高功率密度并降低系统损耗。
这款芯片适用于多种高要求的应用场景,包括电源适配器、服务器电源、通信电源以及电动汽车充电设备等。其封装形式紧凑,能够有效减少整体设计尺寸,同时提供卓越的热性能。
型号:MA0201CG8R0B500
工作电压范围:4.5V 至 20V
最大输出电流:6A
导通电阻(典型值):80mΩ
开关频率范围:100kHz 至 3MHz
封装形式:QFN-16
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
MA0201CG8R0B500 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓晶体管结构,可实现更低的导通损耗和开关损耗。
2. 内置栅极驱动器,支持快速且稳定的开关操作。
3. 提供短路保护和过温保护功能,确保系统的可靠性。
4. 小型化的 QFN-16 封装设计,有助于减小 PCB 占用面积。
5. 支持高达 3MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
6. 良好的 EMC 性能,可以减少对外部滤波元件的需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
MA0201CG8R0B500 广泛应用于以下领域:
1. USB PD 快速充电器和适配器。
2. 数据中心和服务器电源模块。
3. 通信基站电源系统。
4. 电动车充电桩及车载充电器。
5. 工业级 DC-DC 转换器和逆变器。
6. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
7. 其他需要高效率、高功率密度的电子设备。
MA0201CG8R0B300, MA0201CG8R0B700