时间：2025/7/16 18:49:06
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IRF610A16A 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理和电机控制应用，适用于高频率开关操作。
类型：N 沟道
最大漏极电流 (Id)：3.7A
最大漏-源电压 (Vds)：200V
最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 2.8Ω（在 Vgs=10V）
功率耗散 (Pd)：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IRF610A16A 具有低导通电阻和快速开关性能，使其在高频开关应用中表现出色。其封装形式为 TO-220AB，便于散热。此外，该器件具备较高的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路配合使用。其结构设计确保了良好的雪崩能量承受能力，提升了器件在极端条件下的耐用性。此外，IRF610A16A 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于对可靠性要求较高的电源系统。
IRF610A16A 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制器、照明镇流器以及各类功率开关电路。由于其高性能和稳定性，也常见于工业自动化设备和家电产品中的功率控制部分。
IRF610A, IRF611, IRF610
