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NVMFS5C430NAFT1G 发布时间 时间:2025/5/12 14:25:27 查看 阅读:8

NVMFS5C430NAFT1G是一款高性能的非易失性存储器芯片,采用先进的闪存技术。该芯片支持高密度数据存储,并具备快速读写能力,适用于多种工业和消费类电子设备。
  该器件具有良好的耐用性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。它广泛用于固态硬盘、嵌入式系统、数据记录仪和其他需要高效存储解决方案的应用场景。

参数

容量:512Mb
  接口类型:SPI
  工作电压Vcc:1.7V至3.6V
  工作电流:最大20mA
  待机电流:小于1uA
  封装形式:TFBGA
  存储温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保存时间:超过10年
  擦写次数:100,000次

特性

1. 支持高速串行外设接口(SPI),提供高达80MHz的时钟频率。
  2. 内置ECC(错误校验和纠正)功能,提升数据完整性和可靠性。
  3. 集成保护机制,防止因意外断电或操作失误导致的数据丢失。
  4. 提供灵活的扇区保护选项,便于用户根据需求配置访问权限。
  5. 具备深度掉电模式,有效降低功耗,适合电池供电设备使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 固态存储设备如USB闪存盘和SD卡。
  2. 嵌入式系统的代码和数据存储。
  3. 工业控制装置中的日志记录与参数保存。
  4. 医疗设备中的患者数据存储。
  5. 汽车电子系统中的地图信息及软件升级存储。
  6. 物联网(IoT)节点的本地数据缓存和持久化存储。

替代型号

NVMFS5C430NAET1G
  NVMFS5C430NAFT2G
  NVMFS5C430NAET2G

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NVMFS5C430NAFT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥20.67000剪切带(CT)1,500 : ¥10.16130卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Ta),185A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.7 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)47 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),106W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线