时间：2025/6/11 17:58:27
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IPD50N04S4-10是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景，适合要求高效能和低损耗的电路设计。其封装形式为SO8，能够提供出色的散热性能，并且易于集成到各种电子系统中。
这款MOSFET以其优化的电气特性而著称，特别适用于需要高频操作和低功耗的应用场合。通过结合低栅极电荷与低导通电阻的优势，IPD50N04S4-10能够在多种工作条件下实现高性能表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1350pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：SO8
IPD50N04S4-10具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流，适应大功率应用需求。
3. 优化的开关性能，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而实现快速开关和低开关损耗。
4. 广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），确保在极端环境下也能稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. SO8封装提供良好的热性能和电气连接可靠性。
IPD50N04S4-10广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 电机驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 汽车电子应用，如电动助力转向系统（EPS）、空调压缩机和其他高电流负载的控制。
7. 其他需要高效功率开关的应用场景。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L
