时间：2025/9/14 14:56:20
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BZB784-C12,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款射频功率双极型晶体管（RF Power Bipolar Transistor），专为高频、高功率应用设计。该器件采用硅基双极型技术制造，适用于广播、通信以及工业射频设备。其主要特点是高增益、高效率和良好的热稳定性，能够满足在苛刻环境下工作的需求。
类型：双极型射频功率晶体管
制造商：NXP Semiconductors
型号：BZB784-C12,115
封装类型：陶瓷/金属封装
频率范围：150 MHz - 500 MHz
最大集电极-发射极电压（Vceo）：120 V
最大集电极电流（Ic）：1.2 A
最大耗散功率（Ptot）：60 W
输出功率（典型值）：在225 MHz下约15 W
增益（Gp）：约10 dB
阻抗匹配：50 Ω输入/输出
BZB784-C12,115 是一款专为射频功率放大设计的晶体管，具有出色的高频性能和稳定性。其工作频率范围覆盖150 MHz至500 MHz，适合用于VHF/UHF波段的通信系统、广播设备和工业测试仪器。该晶体管采用高热导率陶瓷/金属封装，能够有效散热，确保在高功率状态下长时间稳定工作。
这款晶体管的增益性能表现优异，通常在225 MHz下可提供约10 dB的功率增益，使得它在低至中功率放大应用中具有广泛适用性。此外，其输入和输出阻抗为50 Ω，便于与常见的射频电路进行匹配，从而提高系统整体效率。
BZB784-C12,115 的热稳定性和耐压能力也相当出色，最大集电极-发射极电压为120 V，最大集电极电流为1.2 A，最大功耗可达60 W。这种高耐压和高功耗能力使其能够在较宽的工作条件下保持稳定，适用于需要高可靠性的应用场景。
BZB784-C12,115 广泛应用于各种射频功率放大器中，包括VHF/UHF通信设备、广播发射机、工业射频加热设备、测试与测量仪器等。其高增益和良好的热管理特性使其成为中功率射频放大器的理想选择，尤其适用于需要稳定输出和高效能的系统。
BZB784-C12,115 可以被 BZB784-C12 或 BZB784-C12,112 等型号替代，具体需根据应用需求和封装形式进行选择。此外，也可以考虑类似的NXP射频功率晶体管如 BZB780-C12 或 BZB783-C12，但需确保电路设计和匹配网络能够适应新的器件参数。
