时间：2025/6/28 23:47:36
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MA0201CG5R6B500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于 Microchip 的 GaN FET 系列。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力电子应用。其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产环境。
该型号的主要特点是结合了高性能与易用性，同时具备过温保护和短路保护功能，确保在复杂工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：高达 2MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-4
MA0201CG5R6B500 使用先进的 GaN 技术，提供以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，非常适合高频 DC-DC 转换器和无线充电等应用。
3. 内置保护功能，例如过流保护和过温关断，提升了系统的鲁棒性和寿命。
4. 高度集成的设计减少了外部元件需求，从而简化了电路布局。
5. 良好的热性能使其能够在高温环境下保持稳定运行。
这款功率晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 图形卡供电模块 (GPU VRM)
3. 数据中心电源供应单元 (PSU)
4. 充电器和适配器
5. 工业电机驱动控制
6. 无线充电设备
7. 太阳能微型逆变器
由于其卓越的效率和高频性能，MA0201CG5R6B500 在要求紧凑设计和高性能表现的应用中特别受欢迎。
MA0201CG5R6B400, MA0201CG6R5B500, Infineon CoolGaN 600V 系列
