HV2225Y471KXMATHV 是一款高性能的高压 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压特性,能够在高频开关条件下提供卓越的效率和可靠性。
该型号中的关键部分 HV2225 表示其核心设计为高压增强型 N 沟道 MOSFET,而其他后缀则涉及封装形式、电气参数及制造商特定代码。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻(典型值):0.35Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-220
HV2225Y471KXMATHV 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达 650V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻,可有效降低功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构,适合高频开关电路。
4. 高温稳定性,在极端环境温度下仍能保持可靠的性能。
5. 紧凑的 TO-220 封装,易于集成到各种设计中,并提供良好的散热性能。
该芯片常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
2. 电机驱动,特别是需要高电压驱动的小型直流电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. LED 照明驱动器,用于高亮度 LED 灯串供电。
5. 逆变器和 UPS 系统,为其提供高效的功率转换功能。
IRF840,
STP12NM65,
FQA14P65S,
IXFN40N65T2