FV43X223K102EGG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
该器件具有良好的热性能和电气特性,适合在高电流和高电压环境下工作。其封装设计优化了散热能力,并且支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高效组装。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):650 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
持续漏极电流(Id):22 A
导通电阻(Rds(on)):0.12 Ω
栅极电荷(Qg):75 nC
输入电容(Ciss):2200 pF
开关时间:ton = 80 ns / toff = 45 ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 高击穿电压,确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻,减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速的开关速度,适用于高频应用场合。
4. 良好的热稳定性和耐受浪涌电流的能力。
5. 小型化封装,节省 PCB 空间并简化布局设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的驱动级或保护级组件。
4. 工业控制设备中的负载切换与隔离模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率管理单元。
6. 汽车电子领域内的电池管理系统(BMS)与电动助力转向(EPS)系统。
FV43X223K101EGG
FV43X223K103EGG
IRFZ44N
STP22NF65