类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-252

HM100N03D的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下损耗更低，效率更高。高电流能力允许其在大功率应用中使用，而不会出现明显的电压降或发热问题。此外，TO-252封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该器件的栅极驱动要求较低，通常只需要4.5V至10V的栅源电压即可实现完全导通，这使得其与多种驱动电路兼容。此外，HM100N03D具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和负载开关等应用中表现出色。
　　在可靠性方面，HM100N03D具有良好的抗静电能力和过温保护特性。其内部结构设计减少了寄生电容和电感，从而降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。

HM100N03D广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、逆变器和UPS系统等场合。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率功率转换应用的理想选择。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的工业控制和自动化设备。

SiS100N03DS、IRF1010Z、STP100N3LL、FDP100N03S