TAK7441202DH 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理与电机控制领域。该器件专为半桥结构设计,具备高侧和低侧驱动能力,适用于DC-DC转换器、H桥电机驱动器和各种功率转换系统。TAK7441202DH 采用了东芝先进的BiCD工艺技术,确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。此外,该器件具有内置的欠压锁定(UVLO)和短路保护功能,提高了系统的安全性和可靠性。
类型:MOSFET驱动器
配置:半桥驱动器
输出通道数:2通道(高侧+低侧)
工作电压范围:4.5V 至 18V
峰值输出电流:典型值为 1.5A(拉电流和灌电流)
传播延迟:典型值为 70ns(最大值为 100ns)
上升/下降时间:典型值分别为 15ns 和 10ns(在18V电源条件下)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:8引脚DFN(双扁平无引脚)
TAK7441202DH 具备多项先进特性,使其在功率驱动应用中表现出色。首先,该器件采用半桥驱动结构,能够同时控制高侧和低侧MOSFET,适用于同步整流、H桥电机控制和DC-DC转换器等应用。其宽输入电压范围(4.5V至18V)使其兼容多种电源系统,包括12V和5V供电的电机驱动和电源转换模块。
其次,TAK7441202DH 提供了高达1.5A的峰值输出电流,能够快速驱动大功率MOSFET,从而减少开关损耗并提高系统效率。其传播延迟时间短(典型值70ns),有助于提高高频应用的响应速度,同时上下桥臂之间的延迟匹配良好,降低了交叉导通的风险。
内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止MOSFET在低效或不稳定状态下工作。此外,该器件还具备热关断保护和短路保护功能,进一步增强了系统的稳定性和安全性。
采用8引脚DFN封装,TAK7441202DH 在保持紧凑尺寸的同时提供了良好的散热性能,适用于空间受限的高密度PCB设计。
TAK7441202DH 适用于多种功率电子系统,尤其是在需要高效MOSFET驱动的场合。典型应用包括无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动工具、无人机推进系统、伺服电机控制器和工业自动化设备中的H桥驱动电路。此外,该器件也广泛用于同步降压/升压转换器、DC-DC电源模块、电池管理系统(BMS)以及各种需要高侧和低侧MOSFET驱动的电源拓扑结构。其高可靠性和紧凑封装使其成为汽车电子、消费类电子产品和工业控制系统中的理想选择。
TC4427A, IRS2104S, LM5101B, FAN7382, Si8235