时间：2025/12/23 9:05:00
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MA0201CG360G250 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-252，适合表面贴装技术（SMT），能够在紧凑的空间内实现高效能表现。
型号：MA0201CG360G250
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：4.8A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：22A
导通电阻(R_DS(on))：45mΩ
栅极电荷(Q_g)：12nC
输入电容(Ciss)：1100pF
工作温度范围(T_A)：-55°C to +150°C
封装：TO-252
MA0201CG360G250 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用环境。
3. 良好的热性能，确保在高功率应用场景下的稳定性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型化封装设计，便于在空间受限的设计中使用。
6. 宽泛的工作温度范围，适用于各种恶劣环境下的应用需求。
该器件适合应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 直流电机驱动电路。
3. LED 驱动器和背光控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 消费类电子产品中的电池管理单元。
6. 通信设备中的信号调节与处理模块。
7. 便携式设备中的高效能量管理方案。
MA0201CG360G250B, MA0201CG360G250A
