时间：2025/9/3 21:46:22
阅读：10
JANTXV2N72251N6036 是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等场景。
类型：功率MOSFET
结构：N沟道增强型
最大漏源电压（Vds）：600 V
最大漏极电流（Id）：18 A
导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω
最大功率耗散（Pd）：180 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-264
栅极电荷（Qg）：50 nC
输入电容（Ciss）：1500 pF
JANTXV2N72251N6036 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了能效，非常适合用于高电流应用。其次，该MOSFET具备高耐压能力（最大Vds为600V），可在高压环境下稳定运行。此外，其高功率耗散能力（180W）和良好的热管理特性使其适用于高负载条件下的连续工作。
该器件采用TO-264封装，具有优良的散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定。此外，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。JANTXV2N72251N6036还具备快速开关能力，适用于高频开关电路中的功率转换和控制应用。
JANTXV2N72251N6036 常用于各种高功率和高性能的电子系统中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET能够提供稳定的高电流输出，确保电机的高效运行。
IXFP18N60P, STP18N60DM2, FCP18N60
