容量：4GB
　　电压：2.5V-3.6V
　　接口类型：Parallel NAND
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：最大支持100000次擦写周期
　　存储架构：48层3D NAND

H9DA4GH4JHMMBR-4EM 具有多个显著的特性，使其在各类存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了先进的48层3D NAND技术，相较于传统的2D NAND结构，它提供了更高的存储密度和更好的数据可靠性。其次，该芯片的工作电压范围较宽，为2.5V至3.6V，这使得它能够适应多种电源供应环境，提高了其适用性。
　　此外，H9DA4GH4JHMMBR-4EM 的读写速度表现优异，数据读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，满足大多数中高端应用的需求。其擦写寿命高达100000次，表明该芯片具有较长的使用寿命，适合频繁读写操作的场景。

H9DA4GH4JHMMBR-4EM 主要应用于需要大容量存储且对可靠性和性能有较高要求的设备。常见的应用包括工业级固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、便携式电子设备（如平板电脑和智能电视）、网络存储设备以及车载信息娱乐系统等。在这些应用中，该芯片能够提供高效的数据存储和读写能力，确保系统的稳定运行和快速响应。
　　由于其宽温工作范围和高擦写寿命，H9DA4GH4JHMMBR-4EM 也常用于需要长时间运行和频繁数据更新的工业控制系统和自动化设备。此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如数码相机、MP3播放器和USB闪存盘，为用户提供可靠的大容量存储解决方案。

H9DA4GH4JHMMBR-4EM 可以被以下型号替代：H9DA4GH4JHMMBR-4EMC、H9DA4GH4JHMMBC-4EM、H9DA4GH4JHMMBC-4EMC、H9DA4GH4JHMPCBR-4EM。这些型号在功能、容量和性能方面相似，可根据具体需求选择合适的替代型号。