类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-80A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs = -10V，3.2mΩ @ Vgs = -4.5V
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6-11
　　安装类型：表面贴装

M7PF327MARFC 具备多项优异特性，使其适用于各种高性能电源管理应用。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，在 Vgs = -10V 时仅为 1.8mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如 -4.5V）下，其导通电阻也保持在 3.2mΩ 的较低水平，适合用于驱动电压受限的应用场景。
　　其次，M7PF327MARFC 采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，提供更高的电流承载能力和更小的芯片尺寸，从而提高了功率密度并减少了 PCB 占用空间。其 PowerFLAT 5x6-11 封装具备优异的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了其在不同控制电路中的兼容性。同时，其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
　　最后，M7PF327MARFC 具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，保证系统的稳定性和可靠性。

M7PF327MARFC 主要应用于需要高效能、低导通损耗的电源管理系统中。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及工业自动化设备等。由于其出色的导通性能和热稳定性，该器件也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、启停系统、电动助力转向系统等。此外，在消费类电子产品、服务器电源、通信设备等领域也有广泛应用。

STB100NF30LZ、IPD90P03P4-03、Si7414DP、FDMS7680、IRFR9120N