晶体管类型：双极型晶体管（BJT）
　　配置：2个NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功率耗散（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

S-LMUN2111LT1G是一种高性能的双NPN晶体管阵列，具有优异的电气特性和稳定性。该器件的两个晶体管彼此独立，可以分别用于不同的电路功能，例如放大、开关和信号处理。其高电流增益（hFE）范围允许在不同的偏置条件下实现最佳性能，从而适应广泛的应用需求。
　　由于S-LMUN2111LT1G采用了先进的硅外延平面工艺，它具备良好的频率响应和低噪声特性，非常适合用于射频（RF）前置放大器和高速开关电路。其最大集电极电流为100mA，支持中等功率的负载驱动能力，适用于LED驱动、继电器控制和逻辑电平转换等场景。
　　该器件的SOT-23封装形式具有体积小、重量轻、易于焊接的特点，特别适合高密度PCB布局设计。此外，S-LMUN2111LT1G还具备优良的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。

S-LMUN2111LT1G广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要多个晶体管协同工作的场合。例如，在通信设备中，它可以用于信号放大和调制解调电路；在消费类电子产品中，常用于音频放大器、传感器接口和LED背光控制；在工业控制系统中，可用于继电器驱动、电机控制和电源管理。
　　此外，S-LMUN2111LT1G也适用于数字逻辑电路中的电平转换和缓冲器设计。由于其高频特性良好，因此在射频前端模块中也常用于低噪声放大器的设计。该器件的高可靠性和宽工作温度范围使其成为汽车电子系统中不可或缺的元件之一。

2N3904, BC547, PN2222, MMBT3904