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DMP4015SSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 8:21:34 查看 阅读:20

DMP4015SSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备等应用中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其SOT26封装形式使其适用于空间受限的便携式电子产品。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-4.9A(@VGS= -4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(@VGS= -4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):55mΩ(@VGS= -2.5V)
  功率耗散:1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT26

特性

DMP4015SSS-13采用了先进的Trench MOSFET工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。在VGS为-4.5V时,RDS(on)最大为45mΩ,在VGS为-2.5V时也仅为55mΩ,这使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下工作,适用于低压控制系统。
  该MOSFET具备良好的热稳定性,SOT26封装提供了良好的散热性能,同时保持了小型化设计,适合高密度PCB布局。此外,该器件的封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
  DMP4015SSS-13的栅极驱动电压范围为±12V,确保了在各种应用环境下的稳定操作。其最大连续漏极电流为-4.9A,在负载开关或DC-DC转换器中能够提供较高的电流能力,同时保持较低的功率损耗。该器件还具备较强的抗静电能力,提升了在实际应用中的可靠性。

应用

DMP4015SSS-13常用于电源管理系统,如电池供电设备中的负载开关控制、DC-DC转换器、同步整流器以及各种低电压、中等功率的开关应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能便携式电子设备的理想选择,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电源管理模块。此外,该器件也适用于需要高效能和小尺寸设计的工业控制系统。

替代型号

Si4435DY-T1-GE3, AO4406A, FDN340P, DMP2015SSS-13

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DMP4015SSS-13参数

  • 现有数量3,820现货
  • 价格1 : ¥6.68000剪切带(CT)2,500 : ¥2.59625卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)47.5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4234 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.45W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)