类型：同步静态随机存取存储器(SRAM)
　　容量：16Mbit (1M x 16)
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：100-TQFP
　　时钟频率：166MHz
　　数据总线宽度：16位
　　封装尺寸：14x14 mm
　　接口类型：并行
　　最大工作电流：180mA（典型值）

M6MGT331S4BKT的主要特性之一是其灵活的操作模式，支持同步和异步访问，使得该器件能够适应多种系统设计需求。其高速访问时间为5.4ns，确保了在高频时钟下的稳定运行，满足高性能系统的需求。此外，该SRAM在待机模式下功耗极低，典型电流仅为10mA，非常适合对功耗敏感的应用场景。
　　另一个重要特性是其宽电压工作范围（2.3V至3.6V），允许在不同供电环境下稳定运行，增强了设计的灵活性。器件内部集成了所有必要的控制逻辑，支持CE（芯片使能）、OE（输出使能）和WE（写使能）信号，简化了与主控系统的接口设计。
　　为了确保在工业环境中的可靠性，M6MGT331S4BKT的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于各种严苛条件下的应用。此外，该器件采用100-TQFP封装，便于PCB布局和自动化生产，同时减小了整体电路的体积。

M6MGT331S4BKT广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、网络通信设备、图像处理模块以及高性能数据采集系统。其高速和低功耗特性使其特别适用于需要快速缓存或临时数据存储的场合，如FPGA缓存、网络交换机和路由器的缓冲存储器、工业自动化设备的数据缓冲区等。
　　此外，该SRAM也可用于汽车电子系统中的实时数据处理模块、测试与测量设备的高速数据采集单元，以及消费类电子产品中的高端图像和视频处理系统。

M6MGL331S4BKT, CY7C1380D-166BZC, IDT70V28S133PFG