类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　最大连续漏极电流（ID）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　导通电阻（RDS(on)）：约3Ω（在VGS=4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

M6BCX 的主要特性在于其小型封装设计和良好的电气性能。该器件采用SOT-23（SC-59）封装，适合在空间受限的应用中使用，例如智能手机、平板电脑和穿戴设备等便携式电子产品。M6BCX 的导通电阻较低，在4.5V栅极驱动电压下约为3Ω，使其在低电压开关应用中具有较高的效率。
　　该MOSFET的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于多种环境条件下的稳定运行。其最大漏极电流为100mA，适合用于低功率信号控制和逻辑电路中的开关元件。此外，M6BCX 的最大栅源电压为±8V，提供了一定的过压保护能力，确保在数字控制电路中的安全运行。
　　由于其低功耗特性（最大200mW），M6BCX 在运行过程中产生的热量较少，有助于提升整体系统的能效和稳定性，减少散热设计的复杂性。

M6BCX 主要应用于低功率开关电路、信号控制、逻辑电平转换、负载开关、电源管理模块、电池供电设备以及各种便携式电子产品中。例如，在智能手机中，M6BCX 可用于控制显示屏背光、传感器供电或音频电路的切换；在嵌入式系统和微控制器开发板中，它常被用作数字输出的驱动开关，实现对外部设备（如LED、小型继电器或传感器）的控制。
　　此外，M6BCX 还适用于DC-DC转换器、LDO稳压器的辅助开关、数据通信接口的信号隔离与控制等应用场景。由于其封装小巧、成本低廉且易于使用，M6BCX 也广泛用于教育实验、原型开发以及小功率电子项目的电路设计中。

2N7002, BSS138, 2N3904