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HAT2195R-EL-E 发布时间 时间:2025/5/8 19:29:54 查看 阅读:1

HAT2195R-EL-E是一款高性能的电源管理IC,主要用于便携式电子设备中的电池充电管理。该芯片集成了多种功能,如涓流充电、恒流充电、恒压充电以及充电状态监测等,适用于锂离子和锂聚合物电池。其高效能设计能够显著降低功耗,并提供更稳定的充电体验。
  该芯片具有较高的集成度,简化了外围电路设计,同时支持多种保护机制,包括过温保护、短路保护和过压保护等,确保系统运行的安全性和可靠性。

参数

工作电压:2.8V~6V
  最大充电电流:2A
  输入电压范围:4.5V~24V
  输出电压精度:±0.8%
  封装形式:QFN-20
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  待机功耗:<1μA

特性

HAT2195R-EL-E具有高精度的输出电压调节能力,可确保在不同负载条件下维持稳定的充电电压。此外,它内置了智能充电算法,可根据电池状态自动切换充电模式(涓流、恒流、恒压)。芯片还具备完善的保护功能,能够有效防止因异常情况导致的器件损坏。
  该芯片采用低热阻封装,有助于提升散热性能,在高功率应用场景下表现尤为突出。此外,其超低待机功耗特性使其非常适合需要长时间待机的设备,例如移动电源或手持终端。

应用

HAT2195R-EL-E广泛应用于各类便携式电子产品中,包括但不限于智能手机、平板电脑、蓝牙音箱、智能手环以及其他锂电池供电的设备。同时,它也常用于移动电源的设计中,以实现快速且安全的充电功能。
  由于其高效能和高集成度的特点,这款芯片特别适合对空间和功耗有严格要求的应用场景。

替代型号

HAT2195L-EL-E, HAT2196R-EL-E

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HAT2195R-EL-E参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3400pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)