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M69AW024BE60ZB8 发布时间 时间:2025/7/22 4:49:11 查看 阅读:6

M69AW024BE60ZB8 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 NOR 闪存芯片,专为需要高速读取和高可靠性应用而设计。该芯片采用先进的闪存技术,具备非易失性存储特性,适用于嵌入式系统、工业控制、汽车电子和通信设备等高端应用。M69AW024BE60ZB8 提供了较大的存储容量和快速的数据访问能力,同时支持多种封装形式,以适应不同的设计需求。

参数

容量:256 Mbit
  组织结构:32M x8/16M x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行异步接口
  读取电流(最大):150mA
  待机电流(最大):10mA

特性

M69AW024BE60ZB8 NOR 闪存芯片具有多项先进的技术特性,确保了其在多种应用场景下的高性能表现。首先,其高速访问时间(55ns)使得数据读取非常迅速,能够满足实时系统对存储器响应速度的高要求。
  其次,该芯片支持多种数据宽度配置(x8/x16),提高了系统设计的灵活性,允许用户根据具体需求选择合适的接口宽度以优化性能或节省引脚资源。
  在电源管理方面,M69AW024BE60ZB8 支持宽电压范围(2.3V 至 3.6V),增强了其在不同供电环境下的适应能力。同时,其低待机电流(最大10mA)有助于降低系统功耗,延长电池寿命,适用于对功耗敏感的应用场景。
  该芯片还具备高可靠性,能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业和汽车环境。此外,TSOP 封装形式不仅节省空间,还提高了散热性能,确保了芯片在高负载条件下的稳定性。
  为了提升系统的稳定性,M69AW024BE60ZB8 集成了多种保护机制,包括软件写保护和硬件写保护,防止意外写入和数据损坏。该芯片还支持批量擦除和页编程操作,提高了数据管理的效率。

应用

M69AW024BE60ZB8 主要应用于需要高速读取、高可靠性和大容量非易失性存储的设备中。常见的应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、车载导航系统、通信基站、路由器和交换机等网络设备。由于其高速性能和宽温范围特性,它也非常适合用于军事和航空航天等对环境适应性要求极高的高端应用。此外,该芯片还可用于医疗设备、测试仪器以及智能家电等需要长期稳定运行的产品中。

替代型号

M29W256GL70ZA4, S29GL256S11TFI02, M29W256G7XKB6

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