制造商: SEMIKRON
　　产品类型: IGBT模块
　　晶体管类型: IGBT + 反并联二极管
　　集电极-发射极电压(Vce): 1200V
　　集电极电流(Ic): 200A
　　工作温度范围: -40°C 至 +150°C
　　封装类型: 模块化封装
　　安装类型: 面板安装
　　技术: SiC（碳化硅）
　　短路电流耐受能力: 10μs @ 150°C
　　隔离电压: 3300Vrms
　　最大功耗: 180W

SKM200GB12T4SIC2 是一款基于SiC技术的IGBT模块，具有多项显著的技术特性。首先，它的高耐压能力达到1200V，能够承受高电压应力，适用于各种高压应用。其次，该模块的额定集电极电流为200A，支持大电流操作，非常适合用于高功率系统。此外，SKM200GB12T4SIC2具有良好的热性能，工作温度范围从-40°C到+150°C，使其在恶劣的环境条件下也能稳定运行。
　　该模块采用了SiC材料，相比传统的硅基IGBT，具有更低的开关损耗和更高的导通效率，这使得系统整体能效得到显著提升。同时，SiC技术还允许更高的开关频率，从而减小了外部滤波元件的尺寸，提高了系统的功率密度。模块内部的IGBT和二极管采用了优化的设计，确保了快速的开关响应和较低的电磁干扰（EMI）。
　　此外，SKM200GB12T4SIC2具备3300Vrms的高隔离电压，提供了良好的电气隔离保护，确保了系统的安全性。模块的封装设计考虑了散热性能，采用高导热材料，便于与散热器连接，提高了模块的热管理能力。它还具备良好的短路耐受能力，在150°C条件下可承受10μs的短路电流，增强了系统的鲁棒性。

SKM200GB12T4SIC2 主要应用于高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，在工业电机驱动系统中，该模块可用于高性能变频器，提供高效的电机控制。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，SKM200GB12T4SIC2可以显著提高系统的转换效率，并支持更高的工作频率，从而减小系统体积。
　　在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器、DC-DC变换器和电机驱动系统，提供高效的电力转换和稳定的性能。此外，SKM200GB12T4SIC2还可用于电力储能系统、不间断电源（UPS）和电能质量调节设备，满足现代电力系统对高效、高可靠性的需求。

SKM300GB12T4SIC2, SKM150GB12T4SIC2