时间：2025/6/14 19:30:30
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YFW28N50AP是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用和功率转换电路。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点，适用于各种电源管理场景。
其设计采用先进的制造工艺，能够在高压条件下提供卓越的性能，同时保持较低的功耗。这种MOSFET适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
型号：YFW28N50AP
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：7A
栅极电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：0.9Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：130W
工作温度范围：-55℃~+150℃
YFW28N50AP具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)为0.9Ω），能够减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，适用于开关电源和其他高频应用。
4. 较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗。
5. 具备出色的热稳定性，能在高温环境下可靠运行。
6. 小尺寸封装，便于在紧凑型设计中使用。
YFW28N50AP广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换。
2. DC-DC转换器：实现电压调节功能。
3. 电机驱动：控制电机的速度和方向。
4. 负载开关：保护下游电路免受过流或短路影响。
5. 逆变器：将直流电转换为交流电。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 电池管理系统中的充放电控制。
YFW28N50B, IRF840, STP55NF06
