时间：2025/8/7 11:20:11
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M5M4V64S40ATP-8是一款由富士通（Fujitsu）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于快速页面模式DRAM（FPDRAM）类别。该芯片具有64MB的存储容量，采用4M x 16位的组织方式，工作电压为3.3V，适用于需要高性能和低功耗的系统应用。M5M4V64S40ATP-8采用TSOP封装，适合用于便携式设备、通信设备以及嵌入式系统等对空间和功耗有较高要求的场合。
容量：64MB
组织方式：4M x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：8ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级温度范围
接口类型：异步DRAM接口
刷新周期：64ms
M5M4V64S40ATP-8是一款高性能的DRAM芯片，具备低功耗、高速访问和高集成度的特点。其8ns的访问时间使其适用于对响应速度有较高要求的系统。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并提高系统的稳定性。此外，M5M4V64S40ATP-8采用TSOP封装技术，减小了封装尺寸并提高了散热性能，适合高密度PCB布局。
该DRAM芯片符合工业级温度标准，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。其异步接口设计简化了与控制器的连接，降低了系统设计的复杂度。同时，该芯片具有良好的数据保持能力和抗干扰性能，确保了数据的完整性和可靠性。
M5M4V64S40ATP-8广泛应用于需要中等容量高速存储的设备中，如网络设备、工业控制系统、通信模块、嵌入式系统以及便携式电子产品。由于其低功耗特性和紧凑的封装设计，该芯片特别适合用于电池供电设备和对空间有严格限制的应用场景。此外，该芯片也可用于图像处理、数据缓冲和高速缓存等需要快速数据访问的系统中。
ISSI IS42S16400J-8T、Micron MT48LC16M16A2B4-8A、Samsung K4S641632E-UC75
