型号：CM200YE4-12F
　　制造商：Fuji Electric
　　器件类型：IGBT模块（两单元半桥）
　　最大集电极电流（Ic）：200A
　　峰值集电极电流（Icp）：400A
　　集射极击穿电压（Vces）：1200V
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　饱和压降（Vce(sat) @ Ic=200A, Vge=15V）：约1.75V
　　开关频率：典型值可达20kHz以上
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.15°C/W（每单元）
　　封装类型：第二代立方体平板式（Cube II）
　　是否集成NTC：是

CM200YE4-12F采用了富士电机先进的第六代IGBT沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗之间的权衡，提升了整体能效。其沟槽栅结构优化了载流子分布，使得在高电流密度下仍能保持较低的饱和压降（Vce(sat)），从而减少发热并提高功率密度。该模块的快速恢复二极管同样经过特别优化，具备软恢复特性和低反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强了系统稳定性。模块的平板式封装设计去除了传统引线键合结构，采用大面积直接压接技术，不仅提高了热传导效率，还增强了抗热疲劳能力，特别适合频繁启停或负载波动大的应用场景。该设计也支持模块在无螺栓固定的情况下通过夹具压接安装，简化了维护和更换流程。CM200YE4-12F具备优异的短路耐受能力，典型短路耐受时间可达10μs以上（在Vce=1200V条件下），配合驱动电路可实现可靠的短路保护。模块内部集成的NTC热敏电阻位于IGBT芯片附近，能够实时反馈最热点温度，为控制系统提供精准的温控依据，防止过热损坏。此外，该模块具有良好的电气绝缘性能和爬电距离设计，符合国际安全标准，适用于高海拔和高湿度环境下的工业设备。其高度集成化的设计减少了外围元件数量，提升了系统紧凑性与可靠性。
　　CM200YE4-12F在制造过程中严格执行质量控制标准，确保批次一致性与长期可靠性。该模块通过了多项环境与寿命测试，包括高温高湿反偏试验（H3TRB）、温度循环试验（TC）和功率循环试验（PC），验证了其在严苛条件下的耐用性。其材料选择和内部结构设计有效抑制了热应力引起的焊点开裂问题，延长了使用寿命。该模块支持并联使用，得益于其正温度系数的Vce(sat)特性，使得多个模块并联时电流分配更加均匀，无需额外均流措施即可实现功率扩展。这一特性使其在大功率应用中具有很高的灵活性和可扩展性。同时，该模块对驱动电路的要求较为通用，推荐使用+15V开通和-5V至-10V关断的栅极驱动电压，兼容市面上主流的IGBT驱动光耦和驱动IC，如HCPL-316J、2ED系列等。总体而言，CM200YE4-12F是一款高性能、高可靠性的工业级IGBT模块，适用于对效率、稳定性和寿命要求极高的电力电子系统。

CM200YE4-12F广泛应用于各类中高功率电力转换设备中。在工业电机驱动领域，常用于交流变频器和伺服驱动器的主逆变电路，支持宽调速范围和高动态响应控制。在可再生能源系统中，该模块被大量用于风力发电机组的网侧和机侧变流器，承担能量双向变换任务，具备良好的低电压穿越（LVRT）能力。在不间断电源（UPS）系统中，CM200YE4-12F作为DC/AC逆变桥臂的核心开关器件，提供高效、稳定的正弦波输出，保障关键负载的持续供电。此外，该模块也适用于大功率开关电源、电焊机电源、感应加热设备以及轨道交通中的辅助电源系统。由于其高电压等级和大电流承载能力，CM200YE4-12F还可用于中压变频器的级联H桥拓扑单元或有源前端（AFE）整流器中。在储能系统（ESS）中，该模块可用于电池储能逆变器的功率转换环节，实现充放电控制与电网交互。其平板式封装特别适合模块化堆叠设计，便于构建标准化、可维护的功率单元。无论是固定式工业装置还是移动式电力设备，CM200YE4-12F都能提供稳定可靠的开关性能和长久的服役周期。

2MBI200U4B-120
　　FF200R12KS4
　　SKM200GB12T4