时间：2025/9/14 10:41:56
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BUK9212-55B,118是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能N沟道增强型MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于高效率电源转换系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55V
最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
BUK9212-55B,118具有多项先进特性，确保其在高负载和高频开关应用中的卓越性能。其导通电阻仅为4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。器件采用先进的Trench肖特基技术，提升了开关速度和热稳定性，减少了开关过程中的能量损耗。此外，该MOSFET具备高电流承载能力和良好的热管理能力，可在高温环境下稳定运行。其TO-220AB封装形式适用于标准的PCB安装，便于散热和维护。该器件还具备优异的雪崩能量耐受能力，提升了系统在异常工作条件下的可靠性。
BUK9212-55B,118适用于多种高功率和高频应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择，尤其适合要求高可靠性和高效率的电源转换系统。
BUK9214-55B,118; BUK9216-55B,118
