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IRFZ48NS 发布时间 时间:2025/5/7 21:36:54 查看 阅读:8

IRFZ48NS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为 55V,额定电流为 40A,广泛用于工业、汽车和消费类电子产品中。
  IRFZ48NS 的设计使其在高频工作条件下表现优异,并且由于其低导通电阻特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:40A
  导通电阻(Rds(on)):4.3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  输入电容:2730pF(典型值)
  总功耗:181W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

IRFZ48NS 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频功率转换应用。
  3. 较小的栅极电荷,有助于降低驱动损耗。
  4. 大电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
  5. 宽温度范围操作,能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境下稳定工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的要求。

应用

IRFZ48NS 被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
  4. 汽车电子系统中的高可靠性功率级控制。
  5. LED 照明驱动电路中的高效功率开关元件。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48V, FDP55N06L

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IRFZ48NS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 32A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1970pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ48NS