类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：2.4V
　　最大耗散功率：300mW
　　工作电流范围：1μA ~ 100mA
　　封装类型：SOT-23
　　温度系数：±100ppm/℃
　　测试电流：10mA
　　最大反向漏电流：100nA（@ VR=1.5V）

BZX84C2V4T/R 具有出色的电压稳定性和低动态阻抗，能够在较宽的电流范围内维持恒定的输出电压。其 SOT-23 小型封装形式适合自动化装配工艺，提高了生产效率。该器件的温度系数较低，能够在温度变化较大的环境中保持良好的稳定性。此外，BZX84C2V4T/R 的最大耗散功率为 300mW，可在较高的电流下工作而不会造成过热损坏。其反向漏电流极低，在低电压应用中具有良好的性能表现。由于其高可靠性和稳定的电气特性，BZX84C2V4T/R 常被用于精密模拟电路、电源管理模块和嵌入式系统中。
　　该齐纳二极管的制造工艺采用先进的硅扩散技术，确保了器件的重复性和长期稳定性。同时，BZX84C2V4T/R 还具备良好的瞬态响应能力，适用于需要快速电压调节的应用场景。其低噪声特性也使其适用于高精度测量设备和低噪声放大器电路中。

BZX84C2V4T/R 主要用于电压参考、低功耗稳压电路、电池供电设备、过压保护电路、模拟信号调节、嵌入式系统的电源管理等场合。在工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子中均有广泛应用。例如，可用于 ADC/DAC 基准电压源、传感器信号调理、微控制器电压监测、LED 驱动电路稳压等应用场景。

BZX84C2V7LT1G, BZX84C2V4, BZX84C2V4LT1G, MM3Z2V4B, ZMM2V4