电容值：33nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流电阻（DCR）：极低（典型值小于10mΩ）
　　等效串联电阻（ESR）：低至数mΩ级别（取决于频率）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约0.4nH
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 500MΩ·μF（取较大值）
　　使用寿命：在额定电压和最高工作温度下可稳定运行至少1000小时

HMK212B7333KGHT的核心特性之一是其采用X7R介电材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的电容稳定性，特别适合需要在高温或低温环境下保持性能一致的应用场景。X7R材质虽然属于二类陶瓷（铁电体），相比C0G/NP0类电容器在温度稳定性上稍逊，但其优势在于能够在较小封装内实现较高的电容值，因此在去耦和滤波应用中极具性价比。该电容器在25°C、1kHz测试条件下的电容值为33nF，在实际使用中，随着直流偏置电压的增加，电容值会有所下降，这是X7R材料的固有特性。例如，在施加接近50V的直流电压时，实际有效电容可能衰减至标称值的60%-70%，因此在设计电源去耦网络时需考虑此因素并进行降额使用。此外，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频条件下仍能保持良好的阻抗特性，适合作为高速数字电路中的旁路电容，有效抑制电压波动和噪声干扰。
　　该产品采用多层结构设计，通过交替堆叠内部电极与陶瓷介质层实现高电容密度。内部电极通常采用镍（Ni）或铜（Cu）等贱金属材料，经过高温共烧工艺形成一体化结构，确保长期可靠性。HMK212B7333KGHT具备良好的耐湿性和抗机械应力能力，适用于自动贴片生产线，并可通过JEDEC标准的回流焊工艺进行焊接。其端电极采用三层电极结构（Inner Electrode / Barrier Layer / Solderable Layer），通常为铜外镀镍和锡，确保良好的可焊性和长期环境耐久性。该器件还具备较强的抗热冲击能力，在多次回流焊过程中不易产生裂纹或分层。在可靠性方面，村田对该型号进行了严格的寿命评估测试，包括高温高湿偏置（H3TRB）、高温存储、温度循环等实验，确保其在严苛环境下仍能维持性能稳定。此外，该电容器对交流电压和纹波电流具有一定的承受能力，但在高纹波应用中应结合ESR值计算温升，避免因过热导致早期失效。

HMK212B7333KGHT广泛应用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的电子系统中。在电源管理单元（PMU）中，常用于开关电源（SMPS）输出端的滤波电容，配合电感构成LC滤波网络，有效平滑输出电压，降低纹波噪声。在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入/输出端，该电容器可作为去耦元件，吸收瞬态电流变化，防止电压跌落影响邻近芯片工作。在模拟信号链路中，可用于音频放大器、ADC/DAC参考电压旁路或级间耦合，提供稳定的交流通路。在高频数字电路中，如微处理器、FPGA或ASIC的供电引脚附近，HMK212B7333KGHT可作为局部储能元件，快速响应负载突变，维持电源完整性。此外，该器件也适用于工业控制板、传感器接口模块、射频前端匹配网络以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统等。由于其工作温度范围宽，可在-40°C至+105°C甚至更高环境温度下稳定运行，因此在汽车和工业领域具有较强适应性。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器因其小尺寸和高可靠性，常用于电池管理电路和无线通信模块的电源滤波。同时，由于符合AEC-Q200标准（若标注为车规级版本），部分批次可能通过汽车级认证，适用于非动力总成类车载应用。在设计布局时，建议将其尽可能靠近目标IC的电源引脚放置，并使用短而宽的PCB走线连接，以最小化寄生电感，充分发挥其高频去耦性能。

GRM21BR7333KA01D
　　CL21B333KAQNNNE
　　C2012X7R1H333K