时间:2025/12/28 4:26:33
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M5M44400CJ-7是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于异步SRAM系列,广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。M5M44400CJ-7的存储容量为256K x 16位,即总容量为4兆位(4 Mbit),采用标准的并行接口设计,适用于工业控制、通信设备、网络路由器、测试仪器以及其他嵌入式系统中的缓存或主存储单元。该芯片采用CMOS技术制造,具备低功耗与高性能的平衡特性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级应用环境。封装形式为44引脚的SOP(Small Outline Package)或TSOP(Thin Small Outline Package),便于在高密度PCB布局中使用。M5M44400CJ-7支持全静态操作,无需刷新周期,简化了系统设计,并提高了数据保持的可靠性。其地址与数据线分离的设计允许直接连接到微处理器或DSP等控制器,实现快速的数据交换。由于该型号已逐步进入停产或退市阶段,目前多见于维修替换或旧设备维护场景,在新设计中通常推荐使用更现代的替代方案。
型号:M5M44400CJ-7
制造商:Fujitsu
类型:异步SRAM
存储容量:256K x 16位(4 Mbit)
供电电压:5V ± 10%
访问时间:70ns
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装类型:44-pin SOP 或 TSOP
接口类型:并行
组织结构:262,144 字 × 16 位
输入/输出电平:TTL 兼容
写使能时间(tWE):最小70ns
读出保持时间(tOH):最小0ns
功耗模式:全静态操作,无刷新需求
待机电流(ICC1):典型值为5mA
工作电流(ICC2):典型值为90mA
M5M44400CJ-7具备多项关键特性,使其在当时的嵌入式系统和工业电子设备中表现出色。首先,其70纳秒的快速访问时间确保了在高速数据处理应用中能够提供及时的响应能力,满足大多数微处理器系统的总线速度要求。该芯片采用CMOS工艺制造,在保证高速性能的同时有效控制了动态和静态功耗,尤其是在待机模式下电流消耗极低,有助于延长系统整体的能效表现。
其次,该SRAM支持全静态操作,意味着只要电源持续供应,数据即可无限期保持,无需像DRAM那样进行周期性刷新,从而降低了系统复杂性和潜在的故障点。这一特性特别适用于实时控制系统和对数据完整性要求较高的应用场景。
再者,M5M44400CJ-7具有TTL电平兼容的输入输出接口,可以直接与多种通用微控制器、DSP和逻辑电路无缝对接,减少了额外电平转换电路的需求,简化了硬件设计。其地址线共18条(A0-A17),可寻址256K个位置,数据总线为16位(DQ0-DQ15),支持字模式访问,提升了数据吞吐效率。
此外,该器件具备优异的抗干扰能力和稳定性,在宽温度范围和电源波动条件下仍能可靠运行,增强了系统的鲁棒性。芯片内部集成了片选(CE)、写使能(WE)和输出使能(OE)控制信号,支持多种操作模式,包括读、写、待机和低功耗模式,用户可通过逻辑组合灵活控制芯片状态。尽管当前已不再主流生产,但其稳定的电气特性和成熟的工艺使其在老旧设备维护领域依然具有重要价值。
M5M44400CJ-7主要应用于各类需要中等容量、高速度静态存储器的电子系统中。在工业自动化领域,它常被用于PLC(可编程逻辑控制器)和工控机中作为程序缓存或数据缓冲区,以支持实时任务调度和高速I/O响应。在通信基础设施中,该芯片可用于网络交换机、路由器和基站设备中的报文暂存或协议处理缓存,提升数据转发效率。
此外,在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中,M5M44400CJ-7用于临时存储采集到的大量采样数据,其快速读写能力保障了仪器的实时性与精度。在医疗设备、航空航天以及军事电子系统中,由于其高可靠性和稳定性,也被用于关键子系统的数据暂存模块。
消费类电子产品中,虽然较少使用此类大封装SRAM,但在高端音视频设备或专业广播器材中仍有应用案例。同时,由于其引脚定义清晰、时序规范明确,该芯片也常被用作教学实验平台中的存储器学习范例,帮助学生理解并行SRAM的工作原理和总线时序控制方法。随着技术发展,虽然新型低功耗、小尺寸的存储器逐渐取代其地位,但在系统升级或备件替换场景下,M5M44400CJ-7仍具实际应用意义。
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