CJU15N10 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换电路中。该型号属于N沟道增强型MOSFET,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):15A
导通电阻(RDS(on)):≤70mΩ(典型值)
功耗(PD):120W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)或TO-263(D2PAK)
CJU15N10 MOSFET具备多项优异的电气性能和热稳定性,能够满足多种功率电子应用的需求。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流工作状态下具有较低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。其次,该器件具备较高的电流承载能力,能够在短时间内承受较大的瞬态电流冲击,提高了系统的可靠性和稳定性。
此外,CJU15N10采用先进的封装技术,具备良好的散热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,适用于多种控制方案。该器件还具备较强的抗干扰能力,能够有效抵御高频开关过程中产生的电磁干扰(EMI),从而保证系统的正常运行。
在安全性和保护方面,CJU15N10具有较高的热稳定性,能够在过热情况下自动限制电流,防止因温度过高导致器件损坏。同时,其结构设计能够有效防止静电放电(ESD)和过电压损坏,适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。
CJU15N10广泛应用于各类功率电子设备中,特别是在需要高效能、高稳定性的电源管理场合。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、LED照明驱动电源、电池管理系统(BMS)以及各类工业控制设备中的功率开关部分。
由于其良好的热性能和较高的电流承载能力,CJU15N10也非常适合用于汽车电子系统,如车载充电器、启动电源、电动工具、车载逆变器等场景。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器、储能系统中,该器件也可作为核心开关元件使用,发挥其高效率和高可靠性的优势。
SiHF15N100, FDP15N10, IRF15N10, STP15NF10