时间：2025/8/28 5:53:37
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PQ1X501M2ZP 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用小型化封装，具备良好的热性能和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各类便携式电子设备中的功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.1A
导通电阻（Rds(on)）：36mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6（热增强型6引脚封装）
PQ1X501M2ZP 具备多项优异特性，使其在高效率功率转换应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，提供更优的开关性能和更高的电流密度。此外，其热增强型TSMT6封装有助于提升热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持可靠运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了其在恶劣工作环境下的耐用性。PQ1X501M2ZP 的栅极驱动电压范围宽泛，适用于多种驱动电路设计，便于系统集成。
在封装方面，TSMT6 封装不仅提供了优良的散热能力，同时也支持自动化贴片组装，适用于现代SMT工艺。该MOSFET还符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，符合当前电子产品的环保要求。
PQ1X501M2ZP 适用于多种中低功率电源管理应用，包括但不限于：DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电池供电设备中的功率开关、LED驱动电路、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的负载管理和电源分配系统、电机驱动电路以及各类工业控制和自动化设备中的功率控制模块。其高效率和小尺寸特性使其成为对空间和能效有较高要求的设计中的理想选择。
RQ1X501M2ZP, Si2302DS, AO4406A, FDN340P, TPC8104
