时间：2025/12/28 4:51:17
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M58840-032SP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该器件结合了传统SRAM的高速读写性能与非易失性存储特性，能够在断电情况下保存数据，适用于需要高可靠性、快速存取和数据安全性的应用场景。M58840-032SP的容量为32kbit（即4K × 8位），采用标准的并行接口设计，兼容通用SRAM时序，便于系统集成。该芯片内部集成了非易失性存储单元、锂电池或电容供电切换电路以及自动存储保护机制，确保在电源失效时关键数据能够自动保存至非易失性存储区。此外，M58840-032SP支持无限次的数据存储操作，并可在上电时自动将数据恢复到SRAM中，实现“影子”功能。该器件广泛应用于工业控制、医疗设备、通信基础设施和汽车电子等领域，尤其适合需要频繁写入且断电后仍需保留数据的应用场景。其封装形式通常为28引脚DIP或SOIC，便于在各种PCB设计中使用。
型号：M58840-032SP
制造商：STMicroelectronics
存储容量：32 Kbit (4K × 8)
接口类型：并行
工作电压：4.5V 至 5.5V
访问时间：最大35 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：28-pin DIP 或 SOIC
非易失性存储技术：SRAM + EEPROM + BATTERY 或 AUTOSTORE
写周期寿命：无限次（SRAM部分）
数据保持时间（非易失性）：典型10年
自存储触发方式：电源失效检测（Power-down STORE）
恢复功能：上电自动RECALL
总线兼容性：TTL/CMOS 兼容
M58840-032SP的核心特性在于其将高速SRAM与非易失性存储技术相结合，实现了在断电情况下数据不丢失的功能，同时保持了SRAM的高性能读写能力。该器件内部包含一个SRAM阵列、一个EEPROM备份存储区以及一个电源监控电路。当系统正常供电时，芯片作为标准的高速SRAM运行，具有35ns的访问时间，支持快速的数据读写操作。一旦检测到电源电压下降至预设阈值以下，内部监控电路会立即触发自动存储（Autostore）过程，将SRAM中的当前数据复制到非易失性EEPROM中，整个过程无需外部干预，确保数据完整性。
另一个重要特性是上电自动恢复（Autorecall）功能。当电源恢复至正常水平时，芯片会自动将存储在EEPROM中的数据重新加载回SRAM，使系统能够从中断前的状态继续运行，极大提升了系统的可靠性和用户体验。此外，M58840-032SP支持两种存储模式：硬件触发存储（通过特定引脚控制）和基于电源检测的自动存储，用户可根据应用需求灵活选择。
该芯片还具备高可靠性设计，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于严苛环境下的应用。其数据保持时间在非易失性模式下可达10年以上，确保长期数据安全。M58840-032SP的并行接口设计与标准SRAM完全兼容，无需修改现有系统硬件即可直接替换传统SRAM，降低设计复杂度和开发成本。同时，器件支持无限次的写入操作，避免了传统EEPROM或Flash存在的写入寿命限制问题，特别适合需要频繁更新数据的应用场景。
M58840-032SP广泛应用于对数据完整性和系统可靠性要求较高的领域。在工业自动化控制系统中，常用于保存PLC（可编程逻辑控制器）的运行参数、配置信息和实时状态数据，确保在突发断电后系统重启时能恢复到断电前的状态，避免生产中断或设备损坏。在医疗设备中，如监护仪、呼吸机等，该芯片可用于存储患者治疗参数、设备校准数据和运行日志，保障关键信息不因断电而丢失，符合医疗设备的安全规范。
在通信设备领域，M58840-032SP被用于路由器、交换机和基站控制器中，存储配置文件、路由表和故障日志，确保网络设备在电源异常后能快速恢复正常运行。此外，在汽车电子系统中，如车载诊断系统（OBD）、仪表盘和ADAS控制器中，该芯片可用于记录车辆状态、驾驶行为和故障码，支持长时间数据留存和快速读取。
金融终端设备如POS机、ATM机也采用此类NVSRAM来保存交易记录、密钥信息和操作日志，防止交易过程中因断电导致的数据丢失或安全漏洞。测试与测量仪器中同样依赖M58840-032SP进行实时数据缓存和结果存储，确保测量过程的连续性和准确性。总之，任何需要高速写入、无限写入寿命和断电数据保护的应用场景，都是M58840-032SP的理想选择。
M58840-032SPL M58840-032SPR M58BW40-032SC6TG M58BW40-032SC6TB
