时间：2025/9/14 12:42:36
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BUK9Y104-100B,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐用性和优异的热稳定性。这款 MOSFET 采用高性能的 TrenchMOS 技术制造，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等应用领域。
类型：N 沟道
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：220A@Tc=25℃
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ@Vgs=10V
工作温度：-55℃ ~ 175℃
封装类型：TO-263(D2PAK)
安装方式：表面贴装
BUK9Y104-100B,115 的最大特点在于其极低的导通电阻，仅为 1.0mΩ，在高电流应用中可显著降低功率损耗，提高系统效率。其漏极电流额定值高达 220A，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。该器件的栅极设计具有较高的抗干扰能力，能承受高达 ±20V 的栅源电压，提高了使用过程中的可靠性和抗过压能力。
此外，该 MOSFET 使用 Nexperia 独家的 TrenchMOS 技术，具有优异的热管理特性，即使在高负载条件下也能保持较低的温升，延长使用寿命。其 TO-263（D2PAK）封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，同时具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
BUK9Y104-100B,115 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和大电流能力的场合。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、服务器电源、电信电源系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和DC-AC逆变器。
SiR142DP, IRF2807-10PbF, BSC090N10NS5 AG, FDD8882
