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M50FLW040ANB5G 发布时间 时间:2025/12/27 3:49:37 查看 阅读:9

M50FLW040ANB5G是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的3.3V电源电压、并行接口的多用途闪存(Flash Memory)芯片,属于M50FL系列。该器件采用先进的多晶硅浮栅存储技术,具备高可靠性、高性能和低功耗的特点,适用于需要非易失性存储的应用场景。M50FLW040ANB5G的存储容量为4兆字节(即32兆位),组织方式为按字节寻址,适合在嵌入式系统中用于存储程序代码、固件或配置数据等。该芯片采用48引脚TSOP(薄型小外形封装)或48引脚FBGA封装,具有标准的CE#、OE#、WE#控制信号,支持快速读取模式,并兼容JEDEC标准的命令集,如读取ID、写入使能、扇区擦除、整片擦除和字节/字编程等操作。
  该器件特别设计用于工业级应用,工作温度范围通常为-40°C至+85°C,确保在恶劣环境下的稳定运行。M50FLW040ANB5G支持扇区保护功能,可通过硬件或软件方式对特定存储区域进行写保护,防止误擦除或误编程,增强系统数据的安全性。此外,它还具备耐用性强的特点,可支持10万次以上的编程/擦除周期,并保证数据保存时间长达20年。由于其成熟的制造工艺和广泛的应用基础,M50FLW040ANB5G在通信设备、网络路由器、工业控制器、医疗仪器及消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

制造商:STMicroelectronics
  产品系列:M50FL
  存储容量:32Mbit
  存储器类型:Flash
  供电电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:48-TSOP
  接口类型:并行
  访问时间:70ns
  组织结构:按字节寻址
  编程电压:3.3V
  擦除方式:扇区擦除 / 整片擦除
  写保护功能:支持软件与硬件保护
  JEDEC标准兼容:是
  可靠性:100,000次编程/擦除周期
  数据保持时间:20年

特性

M50FLW040ANB5G具备多项关键特性,使其在工业级和嵌入式系统中表现出色。首先,其32兆位(4MB)的存储容量以并行接口方式提供高速数据访问能力,访问时间低至70纳秒,能够满足实时系统对快速读取性能的需求。这使得该芯片非常适合用于存储启动代码(Boot Code)、操作系统镜像或应用程序固件,在上电复位后能迅速加载执行,减少系统启动延迟。芯片采用3.3V单电源供电,简化了电源设计,同时降低了功耗,适合对能耗敏感的应用场景。
  其次,M50FLW040ANB5G支持灵活的擦除和编程机制。用户可以按扇区(每扇区大小为64KB)进行擦除操作,也可以执行整片擦除,提高了存储管理的灵活性。每个扇区均可独立进行写保护设置,通过软件命令序列或硬件WP#引脚实现锁定,有效防止关键代码被意外修改或破坏,提升了系统的可靠性和安全性。这种扇区保护机制对于工业控制系统、医疗设备等要求高数据完整性的场合尤为重要。
  再者,该器件采用了经过验证的浮栅技术,具备出色的耐久性和数据保持能力。官方标称可承受超过10万次的编程/擦除循环,并能在断电情况下可靠保存数据达20年以上,远超一般商业级存储器的标准。这一特性确保了长期使用的稳定性,减少了因存储器老化导致的系统故障风险。此外,芯片符合JEDEC标准命令集,便于与现有系统集成,降低开发难度和移植成本。
  最后,M50FLW040ANB5G的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,适用于严苛的工业环境。其封装形式为48引脚TSOP,符合行业通用标准,便于PCB布局和自动化贴装。整体设计兼顾性能、可靠性与兼容性,使其成为许多传统嵌入式平台中的首选Flash解决方案。

应用

M50FLW040ANB5G广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在通信领域,常用于网络路由器、交换机和基站设备中存储固件和配置信息,确保设备在重启后能快速恢复运行状态。在工业自动化方面,该芯片被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中,用于保存控制程序和校准数据,其宽温特性和抗干扰能力保障了工厂环境下长时间稳定运行。
  在消费类电子产品中,M50FLW040ANB5G可用于数字电视、机顶盒、打印机和智能家居网关等设备,承担操作系统或应用软件的存储任务。由于其支持快速读取和字节编程,能够提升用户体验,减少开机等待时间。在医疗设备中,如便携式监护仪、超声成像系统等,该芯片用于存储设备参数、诊断算法和历史记录,其高可靠性和数据保护功能有助于满足医疗行业对安全性和合规性的严格要求。
  此外,在汽车电子领域,尽管该型号并非AEC-Q100认证的车规级器件,但仍可在部分车载信息娱乐系统或辅助设备中使用,尤其是在非动力总成相关的模块中。军工和航空航天领域也偶有采用,用于地面测试设备或非关键子系统的数据存储。总体而言,M50FLW040ANB5G凭借其成熟的技术、稳定的供货和广泛的兼容性,成为众多嵌入式开发者信赖的Flash存储方案之一。

替代型号

M50FLW040BNB5G

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M50FLW040ANB5G参数

  • 标准包装208
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度33MHz
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-20°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
  • 供应商设备封装32-TSOP(8x14)
  • 包装托盘