时间：2025/6/23 12:33:57
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UMK105CG151KV-F是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高功率、高频开关场景。该型号属于增强型N沟道MOSFET，适用于各种工业和消费电子领域中的电源管理和转换应用。其采用TO-247封装形式，具备出色的散热性能和耐用性。
该器件以其低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度为特点，非常适合需要高效能量转换和低损耗的应用环境。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：5A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：0.6Ω
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃至+175℃
UMK105CG151KV-F的主要特性包括：
1. 极高的击穿电压（1500V），确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（0.6Ω），降低导通时的能量损耗。
3. 快速开关能力，支持高频应用场景。
4. 高温耐受能力，可在极端温度范围内可靠工作。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. TO-247封装，提供良好的热传导性能。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 高压电源转换器。
2. 工业电机驱动器。
3. 太阳能逆变器。
4. 开关电源（SMPS）。
5. 电动车充电装置。
6. 各类高压开关电路。
UMK105CG151KV-G, UMK105CG151KV-H
