M48Z18 时间：2025/7/23 0:46:29 阅读：3

M48Z18 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的低功耗非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），其结合了 SRAM 的高速读写特性和 EEPROM 的非易失性存储能力。该芯片内置一个锂离子电池供电的实时时钟（RTC）和电源监控电路，能够在系统掉电时自动保存数据并维持时钟运行。M48Z18 常用于需要数据保留和精确时间记录的应用，如工业控制系统、数据记录设备、智能电表等。

参数

容量：16K x 8 位
　　电源电压：5V ±10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28 引脚 DIP 或 SOIC
　　电池电压监测：支持
　　时钟精度：±3.5 分钟/月（在 +25°C 下）
　　写入保护：软件和硬件写保护
　　访问时间：55ns（最大）
　　功耗：典型值 15mA（读取模式）
　　电池寿命：典型值 10 年

特性

M48Z18 最显著的特点是其非易失性存储能力和内置实时时钟功能。芯片内部集成了一个 SRAM 存储器和 EEPROM 存储器，并通过内部电池在系统断电时自动将 SRAM 数据保存到 EEPROM 中。这种机制确保了数据在断电后不会丢失，并且在恢复供电后能够快速恢复原始数据。此外，M48Z18 内置 RTC 模块，能够提供精确的时间戳功能，适用于需要记录事件发生时间的应用场景。
　　该芯片还具备电源监控功能，当检测到主电源电压下降到设定阈值以下时，会自动启动数据保存流程，并禁止对存储器的写入操作以防止数据损坏。M48Z18 支持硬件和软件写保护机制，进一步增强数据安全性。
　　在性能方面，M48Z18 提供高速访问时间（最大 55ns），适合用于需要快速数据读写的系统中。其采用标准的并行接口，兼容大多数微控制器和处理器，简化了硬件设计和集成过程。
　　由于其高可靠性和多功能特性，M48Z18 适用于各种工业、通信和消费类电子设备。

应用

M48Z18 主要应用于需要数据在断电后仍能保留并具备时间记录功能的场合。例如，工业控制系统中的参数存储与时间戳记录、智能电表中的用电数据保存、数据采集设备中的历史记录存储、POS 终端中的交易日志保存、医疗设备中的操作记录与校准数据存储等。此外，M48Z18 也适用于嵌入式系统中用于存储配置信息和系统状态数据，确保系统在重启或断电后能够恢复到之前的状态。