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IXGT20N120BD1 发布时间 时间:2025/8/6 6:19:01 查看 阅读:23

IXGT20N120BD1 是英飞凌(Infineon)推出的一款高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要面向高功率密度和高效率要求的应用场合。该器件集成了快速恢复二极管,具有低导通压降和低开关损耗的特性,适用于工业电机控制、变频器、UPS系统和可再生能源系统等高功率应用。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  集电极电流(Ic):20A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:6μs
  栅极驱动电压:±15V
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值)
  二极管反向恢复时间(trr):约200ns

特性

IXGT20N120BD1 具备优异的导通和开关性能,能够在高频率下运行,同时保持较低的开关损耗。该IGBT采用先进的沟槽栅和场截止技术,实现了低饱和压降和高电流密度。此外,内置的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷和软恢复特性,有助于减少开关噪声和电磁干扰(EMI)。
  该器件的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性,能够在高温度环境下稳定运行。同时,它具备较高的短路耐受能力,可在极端条件下提供额外的安全裕度。IXGT20N120BD1 还具有良好的抗湿热和抗腐蚀能力,适合在恶劣工业环境中使用。

应用

IXGT20N120BD1 广泛应用于工业电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动车充电系统等高功率电子设备中。其高可靠性和高效能特性使其成为需要高性能IGBT模块的首选器件之一。

替代型号

IKW20N120CS6, FG20N120MDA, FF200R12KS4P

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IXGT20N120BD1参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.4V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装