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M29W800DB70ZM6F TR 发布时间 时间:2025/10/22 13:55:14 查看 阅读:10

M29W800DB70ZM6F TR是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款16位宽、8Mbit(512K x 16)NOR闪存芯片,属于M29W系列。该器件采用高性能的Flash存储技术,支持快速读取和页编程操作,适用于需要非易失性存储的应用场景。M29W800DB70ZM6F TR采用TSOP48封装,工作电压为2.7V至3.6V,适合嵌入式系统中的代码存储和数据存储。该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),具备高可靠性与耐用性,广泛用于通信设备、工业控制、消费电子等领域。
  该型号后缀“TR”表示产品以卷带包装形式供货,适合自动化贴片生产。其内部结构划分为64个扇区(Sector),每个扇区大小为128KB,支持扇区擦除和整片擦除功能,便于实现局部更新和管理。芯片内置命令寄存器,可通过标准写入序列实现对存储阵列的编程、擦除和查询操作。此外,M29W800DB70ZM6F TR兼容JEDEC标准接口,易于与现有系统集成,并支持软件数据保护机制,防止因误操作导致的数据丢失或损坏。

参数

型号:M29W800DB70ZM6F TR
  制造商:STMicroelectronics
  类型:NOR Flash
  容量:8 Mbit
  组织方式:512K x 16
  电压:2.7V ~ 3.6V
  访问时间:70ns
  封装:TSOP-48
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口类型:并行
  写保护功能:支持软件写保护
  擦除方式:扇区擦除 / 芯片擦除
  扇区数量:64
  编程电压:单电源供电
  待机电流:典型值 100 μA
  编程电流:典型值 20 mA
  读取电流:典型值 30 mA

特性

M29W800DB70ZM6F TR具备多项先进特性,确保其在复杂应用环境下的稳定性和高效性。首先,该芯片采用高性能的存储单元设计,支持70ns的快速访问时间,能够在高频系统总线下实现无缝读取操作,提升系统响应速度。其512K x 16的组织结构允许以16位宽度进行数据传输,适用于需要高速代码执行的微处理器或微控制器系统,尤其适合XIP(eXecute In Place)架构,即直接从闪存中运行程序代码而无需加载到RAM中。
  其次,该器件支持灵活的擦除和编程机制。整个存储空间被划分为64个128KB的独立扇区,用户可以单独擦除某个扇区而不影响其他区域的数据,极大地方便了固件升级和数据管理。同时支持全芯片擦除功能,适用于恢复出厂设置等应用场景。编程操作通过内部电荷泵完成,仅需单一电源供电,简化了系统电源设计。
  再者,M29W800DB70ZM6F TR集成了多种保护机制。它支持软件控制的数据保护功能,可防止意外写入或擦除操作,避免关键代码被破坏。此外,芯片具备硬件写保护引脚(Vpp/WP#),可在物理层面锁定存储内容。其耐久性高达10万次擦写周期,数据保存时间可达20年以上,满足长期可靠运行的需求。
  最后,该器件符合工业级温度规范(-40°C至+85°C),适应严苛的工作环境。TSOP48封装具有良好的散热性能和电气特性,适合高密度PCB布局。芯片还支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。整体设计兼顾性能、可靠性和易用性,是嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

应用

M29W800DB70ZM6F TR广泛应用于多个领域,主要面向需要可靠非易失性存储的嵌入式系统。在通信设备中,常用于存储固件、配置参数和启动代码,如路由器、交换机、基站模块等网络设备依赖其快速读取能力实现快速启动和稳定运行。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和远程I/O模块中,存储控制程序和校准数据,其工业级温度特性和抗干扰能力保障了在恶劣环境下的长期稳定性。
  在消费电子产品方面,M29W800DB70ZM6F TR适用于机顶盒、打印机、数码相机和家用电器中的主控系统,用于存放操作系统映像和用户设置信息。由于支持XIP(就地执行)模式,能够直接在闪存中运行代码,减少对RAM资源的占用,降低系统成本。
  此外,该芯片也常见于汽车电子系统中,例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和车身控制模块,用于存储应用程序和车辆配置数据。其高耐用性和长数据保持能力确保车辆在整个生命周期内可靠运行。医疗设备中同样有应用,如便携式监护仪、超声设备等,利用其可靠性和数据完整性保障患者数据的安全。
  总体而言,M29W800DB70ZM6F TR凭借其高性能、高可靠性和广泛的兼容性,成为多种嵌入式系统中不可或缺的存储组件,尤其适合对稳定性要求较高的中低端市场应用。

替代型号

M29W800DT70Z, S29GL064N90TFIR2, MX29LV800ABTC-70G

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M29W800DB70ZM6F TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8,512K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-