制造商：STMicroelectronics
　　产品系列：M29W
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：4 Mbit
　　存储组织：262,144 × 16 位
　　供电电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作电流：典型值为20 mA（读取模式）
　　待机电流：典型值为10 μA
　　访问时间：55 ns
　　编程/擦除耐久性：100,000 次
　　数据保持时间：20 年以上
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　接口类型：并行接口（16位数据总线）
　　写保护功能：支持硬件写保护（WP#引脚）
　　擦除方式：按扇区或整片擦除
　　编程电压：内部电荷泵自动生成

M29W400DT55N6具备高性能的读取能力，其55纳秒的访问时间确保了在高速微处理器系统中能够实现快速的数据读取和指令执行，特别适用于需要直接从闪存运行代码的应用场合。该器件采用低功耗CMOS工艺制造，在正常读取模式下仅消耗约20mA电流，而在待机或掉电模式下，电流可低至10μA，显著降低了系统整体功耗，延长了电池供电设备的使用时间。芯片支持宽电压工作范围（2.7V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的适应能力，适用于使用3.3V或3V电源系统的嵌入式设备。
　　该闪存芯片具备完整的硬件和软件保护机制，防止因误操作或系统异常导致的数据损坏。例如，它配备了硬件写保护引脚（WP#），当该引脚被拉低时，可以禁止对状态寄存器的修改，从而保护关键配置信息。同时，内部设有锁定机制，在上电或复位过程中自动进入只读状态，避免了电源不稳定时的意外写入。此外，M29W400DT55N6支持按扇区擦除功能，用户可以选择性地擦除特定区域而不影响其他数据，提升了存储管理的灵活性。每个扇区大小为64KB，共分为8个扇区，便于实现固件更新、分区存储等高级功能。
　　该器件兼容JEDEC标准的命令集，通过向特定地址写入特定命令序列来执行编程、擦除和查询操作，易于与现有微控制器或处理器集成。其内部集成电荷泵电路，可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压，无需外部提供Vpp编程电压，简化了硬件设计并减少了外部元件数量。此外，该芯片具有高可靠性和长期数据保持能力，保证在20年以上的时间内数据不丢失，即使在极端温度环境下也能稳定工作。这些特性使得M29W400DT55N6成为工业自动化、网络设备、打印机、机顶盒以及车载信息系统等对稳定性要求较高的应用中的理想选择。

M29W400DT55N6广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见应用包括工业控制设备中的固件存储，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端等，用于保存启动代码和系统配置信息。在通信领域，该芯片可用于路由器、交换机和调制解调器中存储引导程序和操作系统镜像，支持快速启动和现场升级。消费类电子产品如打印机、复印机和数字电视接收器也常采用该器件来存储主控程序和用户设置。此外，在汽车电子系统中，M29W400DT55N6可用于仪表盘控制模块、车身控制模块或车载信息娱乐系统中，提供稳定的代码存储解决方案。由于其支持XIP（就地执行）模式，CPU可以直接从该闪存中读取并执行指令，无需将程序加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。该芯片还适用于需要频繁进行固件更新但又要求高可靠性的设备，例如医疗仪器、测试测量设备和安防监控系统。其工业级温度范围和抗干扰能力强的特点，使其能够在恶劣环境中长期稳定运行，满足多种复杂应用场景的需求。

M29W400BB55N6,M29W400BT55N6,M29W400DB55N6