D70NH02L是一款N沟道增强型功率MOSFET,由东芝(Toshiba)生产,适用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的平面槽栅技术,具有低导通电阻和快速开关特性。D70NH02L通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达驱动器等应用中,具备良好的热稳定性和耐久性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):70A
最大漏源电压(VDS):20V
导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ(典型值)
栅极电压(VGS):10V
最大功耗(PD):180W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
D70NH02L具备出色的导通性能和快速的开关响应,其低导通电阻(RDS(on))可以有效减少功率损耗,提高系统效率。该器件采用了东芝先进的U-MOS技术,确保了在高电流和高频条件下稳定工作。此外,D70NH02L具有较高的热阻性能,能够在较高的环境温度下保持良好的散热效果,从而延长器件的使用寿命。
该MOSFET还具备优异的短路耐受能力,使其在负载突变或故障条件下仍能维持稳定运行。D70NH02L的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路集成使用。同时,其封装形式(TO-252)提供了良好的机械稳定性和便于安装的特性,适合广泛的应用场景。
在可靠性方面,D70NH02L通过了严格的质量测试,符合行业标准,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其高耐压能力、低导通电阻和优异的热性能使其成为高要求应用中的理想选择。
D70NH02L广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及汽车电子系统。在电源管理领域,该器件可用于高效能开关电源的设计;在工业自动化中,可用于驱动高功率负载;在汽车电子中,该MOSFET可用于电池管理和电动助力转向系统等关键部件。
Si7461DP,TNT40N03SUK