类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：9A
　　脉冲漏极电流 Idm：36A
　　导通电阻 Rds(on)：0.45Ω（最大）
　　功耗 Pd：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-220AB

IN633-RI01 的核心优势在于其高耐压和低导通电阻的结合，使其在高电压应用中仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。
　　该器件具备较强的电流承载能力，连续漏极电流可达 9A，且在脉冲条件下可承受高达 36A 的电流，适用于瞬态负载较大的场合。
　　IN633-RI01 的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.45Ω，降低了在导通状态下的功率损耗，有助于减少发热并提高系统效率。
　　其 TO-220AB 封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于多种 PCB 安装方式，并可通过散热片进一步增强散热性能。
　　此外，IN633-RI01 还具备较高的栅极驱动兼容性，可与标准逻辑电平（如 10V 或 12V）配合使用，简化了驱动电路设计。
　　该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定工作，工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和恶劣环境应用。

IN633-RI01 主要应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。
　　在开关电源中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，实现高效率的能量转换。
　　在 DC-DC 转换器中，IN633-RI01 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供稳定的电压输出。
　　在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路中，实现电机的正反转和制动控制。
　　此外，IN633-RI01 也适用于电池管理系统、不间断电源（UPS）、照明控制和工业自动化设备中的功率开关控制。
　　其高耐压特性使其在光伏逆变器和储能系统中也有一定的应用潜力。

IRF840, FQP10N60C, STP9NK60Z, 2SK2142