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M29F800FB55M3E2 发布时间 时间:2025/12/27 3:42:31 查看 阅读:9

M29F800FB55M3E2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的8 Mbit(兆位)的NOR型闪存芯片,采用扇区擦除架构,适用于需要可靠、非易失性存储的应用场景。该器件属于M29F系列,该系列以其高性能和高可靠性在工业控制、通信设备以及嵌入式系统中广泛应用。M29F800FB55M3E2提供8 Mbit(即1 Mbyte)的存储容量,组织方式为1024个扇区,每个扇区大小为8 Kbyte,便于进行精细的擦除和编程操作。该芯片支持标准的微处理器接口,兼容JEDEC标准命令集,可通过简单的写入指令实现编程、擦除和读取操作,无需额外的高电压编程电源,简化了系统设计。其封装形式为TSOP48(Thin Small Outline Package),尺寸紧凑,适合对空间要求较高的应用环境。工作温度范围通常为工业级(-40°C至+85°C),保证了在恶劣环境下的稳定运行。该芯片采用5V单电源供电,具备低功耗模式,包括自动待机和软件掉电模式,有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外,M29F800FB55M3E2集成了内部状态寄存器,允许系统通过轮询机制判断编程或擦除操作是否完成,提升了操作效率与系统响应能力。由于其成熟的技术和广泛的应用基础,该型号在许多旧版工业和消费类电子产品中仍然具有重要地位,尽管新型串行闪存逐渐普及,但在需要并行接口和快速随机访问的场合,M29F800FB55M3E2仍具优势。

参数

制造商:STMicroelectronics
  产品系列:M29F
  存储容量:8 Mbit
  存储结构:1 Mbyte (1024 x 8 Kbyte)
  电源电压:4.5V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP-48
  接口类型:并行
  读取访问时间:55ns
  擦除方式:扇区/整片擦除
  编程电压:5V 单电源
  封装宽度:10mm
  引脚数:48
  存储器类型:NOR Flash
  组织结构:512K x 16位(字模式)或1024K x 8位(字节模式)可选

特性

M29F800FB55M3E2具备多项关键特性,使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先,该芯片支持灵活的扇区架构,将整个8 Mbit存储空间划分为64个扇区,其中前8个扇区(各16 Kbyte)通常用于存放引导代码,具备写保护功能,防止关键程序被误擦除;其余56个扇区为64 Kbyte大小,适用于数据或应用程序存储。这种分区设计增强了系统的安全性和管理灵活性。其次,该器件支持两种操作模式:字节模式(x8)和字模式(x16),用户可根据系统总线宽度选择合适的接口配置,提升数据传输效率。在操作方面,M29F800FB55M3E2采用命令寄存器控制机制,所有编程、擦除和查询操作均通过向特定地址写入预定义的六步或四步命令序列来启动,确保操作的安全性与可控性。
  此外,该芯片内置了自动定时编程和擦除算法,能够优化编程脉冲宽度和擦除周期,减少外部控制器的干预,提高操作成功率。状态寄存器功能允许系统通过读取DQ7和DQ6引脚的状态来监控编程或擦除进度,实现高效的轮询机制,避免长时间等待。在可靠性方面,M29F800FB55M3E2支持超过10万次的擦写寿命,并具备至少20年的数据保持能力,满足长期运行需求。其抗干扰能力强,具备良好的ESD保护和噪声抑制设计,适合在电磁环境复杂的工业现场使用。同时,该器件支持软件掉电模式,在空闲时可将功耗降至微安级别,有利于节能设计。所有这些特性共同构成了一个稳定、高效且易于集成的非易失性存储解决方案。

应用

M29F800FB55M3E2广泛应用于多种需要可靠固件存储的电子系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和工业I/O模块中,用于存储操作系统、控制程序和配置参数,其宽温特性和高耐久性确保了在工厂环境下长期稳定运行。在通信设备中,该芯片可用于路由器、交换机和基站控制器,作为Boot ROM存储启动代码,其快速读取能力保障了设备的快速上电自检和初始化。消费类电子产品如打印机、复印机和数字电视也采用此类并行NOR Flash来存放固件,得益于其随机访问速度快,能够实现快速启动和实时执行代码(XIP, Execute In Place),无需将程序加载到RAM中。汽车电子系统中,M29F800FB55M3E2可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘和车载信息娱乐系统,存储校准数据和控制逻辑,其工业级温度范围适应车辆在极端气候条件下的运行。此外,在医疗设备、测试仪器和军事电子设备中,该芯片因其高可靠性和数据完整性而受到青睐。尽管近年来串行SPI Flash因引脚少、成本低而流行,但在需要高吞吐量和直接执行代码的应用中,并行接口的M29F800FB55M3E2仍具有不可替代的优势。因此,该芯片在多个关键领域持续发挥重要作用。

替代型号

M29F800FB70N6E, M29F800FB55N3E, M29F800FC55, S29AL008D

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M29F800FB55M3E2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8,512K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页55ns
  • 访问时间55 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-SOIC(0.496",12.60mm 宽)
  • 供应商器件封装44-SO