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CSSP-BEFDN120 发布时间 时间:2025/5/27 18:32:02 查看 阅读:8

CSSP-BEFDN120是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。其设计注重提高能效并降低系统损耗,非常适合需要高效功率转换的电子设备。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:N沟道
  漏源电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷(Qg):85nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

CSSP-BEFDN120的核心优势在于其卓越的电气性能和耐用性。
  1. 超低导通电阻(Rds(on))确保了更低的传导损耗,从而提升整体效率。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,并优化了高频操作下的表现。
  3. 高额定电压(120V)使其能够承受更高的工作电压,适用于广泛的应用环境。  5. 先进的封装技术提高了散热性能,增强了芯片在高温环境中的稳定性。
  6. 高可靠性设计,通过多种严格的质量测试流程,确保长时间使用的稳定性。

应用

这款功率MOSFET适合多种工业和消费级应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。
  2. 电机驱动:控制无刷直流电机(BLDC)或其他类型电机的运转。
  3. 电池管理系统(BMS):作为负载开关或保护元件使用。
  4. 工业自动化设备:如PLC控制器、伺服驱动器等中的功率转换模块。
  5. 汽车电子:支持车载充电器、逆变器等功能模块的工作需求。
  6. 太阳能逆变器:参与能量转换过程,提高发电效率。

替代型号

CSSP-BEFDN100
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP30NF10

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