CSSP-BEFDN120是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。其设计注重提高能效并降低系统损耗,非常适合需要高效功率转换的电子设备。
类型:功率MOSFET
极性:N沟道
漏源电压(Vdss):120V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
开关速度:快速
封装形式:TO-247
CSSP-BEFDN120的核心优势在于其卓越的电气性能和耐用性。
1. 超低导通电阻(Rds(on))确保了更低的传导损耗,从而提升整体效率。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗,并优化了高频操作下的表现。
3. 高额定电压(120V)使其能够承受更高的工作电压,适用于广泛的应用环境。
5. 先进的封装技术提高了散热性能,增强了芯片在高温环境中的稳定性。
6. 高可靠性设计,通过多种严格的质量测试流程,确保长时间使用的稳定性。
这款功率MOSFET适合多种工业和消费级应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。
2. 电机驱动:控制无刷直流电机(BLDC)或其他类型电机的运转。
3. 电池管理系统(BMS):作为负载开关或保护元件使用。
4. 工业自动化设备:如PLC控制器、伺服驱动器等中的功率转换模块。
5. 汽车电子:支持车载充电器、逆变器等功能模块的工作需求。
6. 太阳能逆变器:参与能量转换过程,提高发电效率。
CSSP-BEFDN100
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF10