您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > M29F080A120N1

M29F080A120N1 发布时间 时间:2025/7/23 13:55:52 查看 阅读:20

M29F080A120N1 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款8位闪存存储器(Flash Memory)芯片,属于NOR闪存类型。这款芯片采用标准的TSOP封装,具有非易失性存储特性,适用于需要快速读取和持久数据存储的应用场景。M29F080A120N1的存储容量为8Mbit(即1MB),其接口设计兼容JEDEC标准,支持快速访问和编程操作,适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:8Mbit(1MB)
  组织结构:8位(x8)
  电源电压:5V
  访问时间:120ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  擦除时间:最大1秒
  编程时间:100微秒/字
  接口标准:JEDEC标准兼容

特性

M29F080A120N1是一款高性能的NOR闪存芯片,具备快速读取能力,访问时间仅为120ns,适用于需要快速启动和数据访问的应用场景。其8位并行接口设计使其与多种微控制器和处理器兼容,便于系统集成。该芯片支持快速的块擦除和编程操作,单个扇区擦除时间不超过1秒,编程时间为100微秒/字,提高了存储管理效率。
  此外,M29F080A120N1具有高可靠性和耐用性,能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适合在恶劣环境中使用。该芯片的5V单电源供电设计简化了电源管理电路,降低了系统复杂度。同时,M29F080A120N1符合JEDEC标准接口规范,支持通用闪存控制器(如Intel和AMD)的兼容模式,便于软件开发和硬件设计。

应用

M29F080A120N1 适用于多种嵌入式系统和工业应用,包括工业控制设备、通信模块、汽车电子系统、智能卡终端、医疗设备、消费类电子产品(如数字相机、便携式游戏机)等。其快速访问时间和非易失性存储特性使其非常适合用于存储固件、操作系统、启动代码和关键数据。

替代型号

M29F080A120N1的替代型号包括M29F080A120E1、M29F080A120N5、M29F080B120N1以及类似的NOR闪存芯片,如AM29F080B-120EC、MX29LV800BT-12G等。这些型号在引脚兼容性、电气特性和存储容量方面相近,可根据具体应用需求进行替换。

M29F080A120N1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

M29F080A120N1参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类闪存
  • 数据总线宽度8 bit
  • 存储类型NOR
  • 存储容量4 Mbit
  • 结构Sectored
  • 接口类型CFI
  • 访问时间120 ns
  • Supply Voltage - Max5.5 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 最大工作电流20 mA
  • 工作温度+ 70 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-I
  • 封装Tray
  • 组织512 KB x 8
  • 工厂包装数量120