RF1126 时间：2025/8/16 9:18:37 阅读：25

RF1126 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的射频功率放大器（PA）芯片，主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件设计用于工作在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频段，特别适用于 4G LTE、WCDMA 和其他高性能无线通信应用。RF1126 采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，提供高线性度、高效率和高输出功率，是基站、无线基础设施和工业通信设备中常用的射频放大器解决方案。

参数

频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：典型值 30 dBm
　　增益：23 dB
　　电源电压：+28V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：MMIC（微波单片集成电路）
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　线性度：高线性度设计
　　效率：典型值 25%

特性

RF1126 的核心特性之一是其宽频带操作能力，使其适用于多个无线通信标准和频段。该芯片采用了 GaAs（砷化镓）HEMT 工艺技术，具有出色的高频性能和热稳定性。其高线性度设计确保在多载波和高数据速率环境下保持良好的信号完整性，减少互调失真（IMD）。此外，RF1126 具有较高的增益（约 23 dB），可在系统设计中减少前置放大器的级数，从而简化电路结构并降低成本。
　　该器件的输出功率可达 30 dBm（1W），在 28V 电源供电下工作，适用于中高功率的射频发射系统。其封装形式为 MMIC，集成度高，具有良好的热管理和散热性能，适合长时间高负荷运行的工业应用。RF1126 还具备良好的输入/输出驻波比（VSWR）性能，确保与系统其他部分的良好匹配，降低信号反射和损耗。

应用

RF1126 主要应用于 4G LTE 基站、WCDMA 功率放大器模块、无线接入点、工业通信设备、微波通信系统和测试测量仪器等。由于其高线性度和宽频带特性，该芯片也常用于多标准基站（Multi-Standard Radio）和软件定义无线电（SDR）系统中。此外，RF1126 可用于远程无线电头端（RRH）和分布式天线系统（DAS）等现代通信架构中，提供稳定、高效的射频放大能力。