型号：M25PE80-VMN6
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：8 Mbit (1 Mbyte)
　　接口类型：SPI, Dual I/O SPI
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　时钟频率：最高 75 MHz
　　封装类型：8-Pin SO (Small Outline)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储结构：256 扇区 × 256 页/扇区 × 256 字节/页
　　编程时间：典型 0.7 ms / 页
　　芯片擦除时间：典型 70 ms
　　待机电流：典型 1 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：超过 20 年

M25PE80-VMN6具备多项先进的技术特性，使其在同类串行闪存产品中具有较高的竞争力。首先，其支持双I/O SPI模式，能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提升数据吞吐率，尤其适合对读写速度有较高要求的应用场合，如图形显示缓存、固件更新和实时日志记录等。相比传统的单I/O SPI模式，Dual I/O模式可将有效传输速率提高近两倍，极大优化了系统整体性能。
　　其次，该芯片集成了多种安全与保护机制。除了常规的软件写保护外，还支持硬件写保护功能，通过将特定引脚（如/WP或/RESET）拉低来锁定存储区域，防止意外擦除或写入操作。这种双重保护机制特别适用于关键系统参数或启动代码的存储，确保系统在异常断电或电磁干扰环境下仍能保持数据完整性。
　　再者，M25PE80-VMN6具备卓越的耐久性和数据保持能力。其支持高达10万次的编程/擦除周期，远超一般EEPROM器件，适用于频繁更新数据的应用场景。同时，数据保存时间超过20年，即使在高温或恶劣环境下也能长期稳定运行，满足工业和汽车级应用的严苛要求。
　　此外，该芯片支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至1 μA以下，非常适合电池供电或节能型设备使用。唤醒时间极短，通常在几微秒内即可恢复正常工作状态，不影响系统响应速度。片内状态寄存器提供忙状态指示、写使能状态、保护区域设置等信息，便于主机MCU实时监控操作进度和配置权限。
　　最后，M25PE80-VMN6遵循JEDEC标准引脚定义和封装规范，兼容主流微控制器和处理器平台，简化了PCB布局与系统集成过程。其制造工艺成熟，供货稳定，配合意法半导体完善的文档支持和技术服务，成为众多设计工程师首选的串行闪存解决方案之一。

M25PE80-VMN6广泛应用于多个领域，涵盖工业自动化、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。在工业控制中，常用于PLC控制器、HMI人机界面和传感器模块中存储校准数据、设备配置和运行日志，得益于其宽温范围和高可靠性，可在复杂电磁环境和温度波动条件下稳定运行。
　　在通信领域，该芯片被用于路由器、交换机和光网络终端设备中保存固件镜像、网络配置文件和启动引导程序。其高速SPI接口支持快速加载操作系统或应用程序代码，缩短设备启动时间，提升用户体验。此外，在VoIP电话、IP摄像头等设备中也用于存储音频编码、视频参数和用户设置。
　　消费电子方面，M25PE80-VMN6常见于智能家电、可穿戴设备、电子书阅读器和数码相机中，作为外部程序存储器或参数存储单元。例如，在智能手表中用于保存表盘主题、健康数据模板和蓝牙配对信息；在智能家居网关中用于存储设备配网记录和本地策略规则。
　　在汽车电子中，该芯片可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块和ADAS辅助驾驶系统的固件存储。其符合AEC-Q100可靠性标准的部分版本可用于车载环境，支持多次OTA（空中下载）升级，保障车辆软件持续更新。
　　此外，该器件还适用于医疗设备、测试仪器和POS终端等需要可靠非易失性存储的场合，是嵌入式系统中理想的代码和数据存储介质。

M25PX80VMN6
　　SST25VF080B-80-3C-S2AF
　　W25Q80DVSSIG
　　EN25F80-12SI