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M25PE40-VMP6TG TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:42:50 查看 阅读:55

M25PE40-VMP6TG TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的串行闪存存储器芯片,属于M25PE系列。该器件采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,具备高性能和低功耗特性,广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。M25PE40的存储容量为4 Mbit(即512 Kbyte),组织结构为524,288字节,每页256字节,支持扇区擦除、块擦除和全片擦除功能。该芯片采用先进的浮栅存储技术,确保数据在断电后仍能长期保存,典型数据保持时间可达20年。此外,M25PE40支持高达10万次的编程/擦除周期,适合频繁写入的应用场景。
  M25PE40-VMP6TG TR采用小型化的WLCSP6(晶圆级芯片尺寸封装)封装形式,尺寸紧凑,适用于空间受限的便携式设备。该器件工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容低电压系统设计,并支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在恶劣环境下稳定运行。其TR后缀表示该产品以卷带包装形式供应,适合自动化贴片生产,广泛用于消费电子、工业控制、网络设备和汽车电子等领域。

参数

型号:M25PE40-VMP6TG TR
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:4 Mbit (512 Kbyte)
  接口类型:SPI (Serial Peripheral Interface)
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  时钟频率:最高支持85 MHz
  编程/擦除耐久性:100,000 次
  数据保持时间:20 年 @ +85°C
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WLCSP6 (Wafer Level Chip Scale Package)
  封装尺寸:约 1.9mm x 1.45mm x 0.55mm
  引脚数:6
  写保护功能:软件及硬件写保护
  读取模式:标准、快速、双I/O、四I/O
  保持引脚(HOLD#):支持多设备共享总线
  掉电保护:具备可靠的上电/掉电数据保护机制

特性

M25PE40-VMP6TG TR具备多项先进特性,使其在同类串行闪存中表现出色。首先,它支持多种读取模式,包括标准SPI、快速读取、双I/O(Dual I/O)和四I/O(Quad I/O)模式,显著提升了数据传输速率。在四I/O模式下,可同时通过四条数据线进行数据传输,极大提高了吞吐量,适用于对读取速度有较高要求的应用,如图形显示缓存或固件存储。此外,该芯片内置连续读取模式,允许用户在单次命令后连续读取多个地址的数据,减少命令开销,提高效率。
  其次,M25PE40提供灵活的擦除选项,包括按扇区(4 KB)、按块(64 KB)以及整片擦除,满足不同粒度的数据管理需求。每个扇区均可独立编程和擦除,便于实现文件系统的动态管理。其字节编程功能支持最小单位的写入操作,增强了存储灵活性。为了确保数据完整性,芯片集成了上电/掉电检测电路,在电源不稳定时自动禁止写入操作,防止误写或数据损坏。
  再者,该器件具备软件和硬件双重写保护机制。通过状态寄存器可配置不同的保护级别,防止意外修改关键数据区域(如启动代码)。HOLD#引脚可在多设备共享SPI总线时暂停当前操作,避免总线冲突。此外,芯片支持节能模式,在待机状态下电流消耗极低,典型值仅为1 μA,有助于延长电池供电设备的续航时间。所有这些特性共同构成了一个高可靠性、高性能的非易失性存储解决方案,适用于严苛环境下的嵌入式应用。

应用

M25PE40-VMP6TG TR广泛应用于各类嵌入式系统中,尤其适用于需要小体积、高可靠性和中等容量非易失性存储的场合。在消费类电子产品中,常用于智能手机、平板电脑、智能手表和可穿戴设备中存储配置参数、校准数据或小型固件。由于其支持快速读取和四线SPI接口,也适用于LCD模块中的图像缓存或字体数据存储,提升界面响应速度。
  在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和远程终端单元(RTU)中保存设备设置、运行日志或校准信息。其宽温工作范围和高抗干扰能力确保在复杂电磁环境中稳定运行。在网络通信设备中,如路由器、交换机和光模块,M25PE40常被用来存储引导程序(Bootloader)或设备标识信息(如SFP模块的EEPROM内容),支持系统快速启动和设备识别。
  在汽车电子方面,该器件可用于车载信息娱乐系统、仪表盘模块或ADAS传感器节点中,存储初始化参数或故障记录。其符合AEC-Q100标准的部分版本可用于车载环境。此外,在医疗设备、智能家居控制器和物联网终端中,M25PE40凭借其小封装、低功耗和高耐久性,成为理想的代码和数据存储选择。总体而言,任何需要可靠串行闪存且空间受限的应用均可考虑使用此器件。

替代型号

M25P40-VMN6P
  N25Q032A13ESC40F
  S25FL032K
  AT25DF041B-SH-T
  EN25QH40B

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M25PE40-VMP6TG TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率75 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ms,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-VDFPN(6x5)(MLP8)