型号：SVM7962C0J
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：70A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：280A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：4.5mΩ（@VGS=10V, ID=35A）
　　导通电阻RDS(on)：5.2mΩ（@VGS=4.5V, ID=35A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：4200pF（@VDS=30V）
　　输出电容Coss：1300pF（@VDS=30V）
　　反向传输电容Crss：100pF（@VDS=30V）
　　栅极总电荷Qg：65nC（@VGS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：25ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

SVM7962C0J采用先进的沟槽型MOSFET工艺设计，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至4.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这一特性使其特别适合用于大电流开关应用，如同步整流、电池管理系统、电动工具电源模块以及服务器电源单元等对效率要求较高的场景。同时，该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（5.2mΩ），表明其具备良好的低压驱动能力，兼容多种逻辑电平控制信号，包括3.3V或5V的PWM控制器输出，无需额外增加电平转换电路即可直接驱动。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，得益于较小的输入电容和优化的栅极电荷参数（Qg=65nC），能够实现快速的开启与关断响应，有效减少开关过程中的交越损耗，从而提升高频工作的效率。此外，较低的反向传输电容（Crss=100pF）有助于抑制米勒效应引起的误触发现象，增强了电路在高dv/dt环境下的抗干扰能力，提升了系统可靠性。器件还具备较高的脉冲电流承受能力（IDM=280A），可在瞬态负载变化或短路情况下提供一定的安全裕度。
　　热稳定性方面，SVM7962C0J采用TO-252封装，具有良好的散热性能，通过底部焊盘可将热量高效传导至PCB地层，降低热阻，延长器件寿命。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）确保了在极端环境温度下依然能够稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，例如BUCK变换器中的下管角色。综合来看，SVM7962C0J在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效率电源设计中的理想选择之一。

SVM7962C0J广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括DC-DC降压（BUCK）转换器、同步整流电路、电机驱动模块、LED恒流驱动电源以及电池供电设备的电源管理单元。在通信基站电源、笔记本电脑适配器、电动自行车控制器、工业自动化控制系统等领域均有成熟应用案例。此外，也可用于H桥驱动电路中作为低端或高端开关管使用，支持双向能量流动，满足再生制动等复杂工况需求。由于其优异的导通特性和热性能，该器件特别适合部署在紧凑型高密度电源设计中，以实现更高的功率密度与更低的温升。

AP7962A,Si7962DP,SCT7962AS